Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMC2700UDM-7 Альтернативные части: DMG6402LDM-7 ,DMN2004DMK-7
DMC2700UDM-7Diodes Incorporated
В наличии: 33
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
13.453846 ₽
13.46 ₽
10
12.692308 ₽
126.92 ₽
100
11.973874 ₽
1,197.39 ₽
500
11.296113 ₽
5,648.08 ₽
1000
10.656703 ₽
10,656.73 ₽
Цена за единицу: 13.453846 ₽
Итоговая цена: 13.46 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.34A/1.14A Automotive 6-Pin SOT-26 T/R | MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-26 | MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26 |
Срок поставки от производителя | 17 Weeks | 15 Weeks | 16 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-23-6 | SOT-23-6 | SOT-23-6 |
Количество контактов | 6 | 6 | 6 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 1.34A 1.14A | 5.3A Ta | - |
Количество элементов | 2 | 1 | 2 |
Время отключения | 28.4 ns | 13.92 ns | - |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -65°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2011 | 2012 | 2011 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
Максимальная потеря мощности | 1.12W | - | 225mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 | 40 |
Основной номер части | DMC2700UDM | - | DMN2004DMK |
Число контактов | 6 | 6 | 6 |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 1.12W | 1.12W | 225mW |
Время задержки включения | 5.1 ns | 3.41 ns | - |
Тип ТРВ | N and P-Channel | N-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 400m Ω @ 600mA, 4.5V | 27m Ω @ 7A, 10V | 550m Ω @ 540mA, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1V @ 250μA | 2V @ 250μA | 1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 60.67pF @ 16V | 404pF @ 15V | 150pF @ 16V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 0.74nC @ 4.5V | 9.2nC @ 10V | - |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | - | - |
Непрерывный ток стока (ID) | 1.14A | 5.3A | 540mA |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 6V | 20V | 8V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 1.34A | - | 0.54A |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.4Ohm | 0.027Ohm | 0.55Ohm |
Напряжение пробоя стока к истоку | 20V | - | 20V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
Высота | 1.3mm | 1.3mm | 1.1mm |
Длина | 3.1mm | 3.1mm | 3mm |
Ширина | 1.7mm | 1.7mm | 1.6mm |
REACH SVHC | No SVHC | - | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | 4.5V 10V | - |
Максимальная мощность рассеяния | - | 1.12W Ta | - |
Каналов количество | - | 1 | - |
Конфигурация элемента | - | Single | Dual |
Время подъема | - | 6.18ns | - |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | 30V | - |
Угол настройки (макс.) | - | ±20V | - |
Время падения (тип) | - | 2.84 ns | - |
Минимальная напряжённость разрушения | - | 30V | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | - | 20V |
Моментальный ток | - | - | 540mA |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN2004DMK-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | SOT-23-6 | MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26 | Для сравнения |
| DMN2215UDM-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | SOT-23-6 | MOSFET 2N-CH 20V 2A SOT-26 | Для сравнения |
| DMG6968UDM-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | SOT-23-6 | MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26 | Для сравнения |
| DMG6402LDM-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | SOT-23-6 | MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-26 | Для сравнения |