Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMC1229UFDB-7 Альтернативные части: SI1422DH-T1-GE3 ,SIA910EDJ-T1-GE3
DMC1229UFDB-7Diodes Incorporated
В наличии: 230
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
45.094176 ₽
45.05 ₽
10
42.541648 ₽
425.41 ₽
100
40.133626 ₽
4,013.32 ₽
500
37.861937 ₽
18,930.91 ₽
1000
35.718805 ₽
35,718.82 ₽
Цена за единицу: 45.094176 ₽
Итоговая цена: 45.05 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6 | MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6 | Dual N-Channel 12 V 28 mOhm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SC-70-6L |
Срок поставки от производителя | 15 Weeks | - | 14 Weeks |
Покрытие контактов | Gold | - | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-UDFN Exposed Pad | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Количество контактов | 6 | 6 | 6 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 5.6A 3.8A | 4A Tc | - |
Количество элементов | 2 | 1 | 2 |
Время отключения | 27.8 ns | 20 ns | 25 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | Automotive, AEC-Q101 | TrenchFET® | TrenchFET® |
Опубликовано | 2013 | 2014 | 2015 |
Код JESD-609 | e4 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | - | - |
Максимальная потеря мощности | 1.4W | - | 7.8W |
Положение терминала | DUAL | DUAL | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | 30 | 40 |
Каналов количество | 2 | 1 | 2 |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Сокетная связка | DRAIN | - | DRAIN |
Время задержки включения | 5.7 ns | 10 ns | 10 ns |
Тип ТРВ | N and P-Channel | N-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 29m Ω @ 5A, 4.5V | 26m Ω @ 5.1A, 4.5V | 28m Ω @ 5.2A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1V @ 250μA | 1V @ 250μA | 1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 914pF @ 6V | 725pF @ 6V | 455pF @ 6V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 19.6nC @ 8V | 20nC @ 8V | 16nC @ 8V |
Время подъема | 11.5ns | 10ns | 12ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 12V | - | 12V |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | - | - |
Время падения (тип) | 26.4 ns | 10 ns | 12 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 3.8A | 4A | 4.5A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 8V | 8V | 8V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Высота | 555μm | - | - |
Длина | 2.08mm | - | - |
Ширина | 2.075mm | - | - |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Вес | - | 7.512624mg | 28.009329mg |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | 1.8V 4.5V | - |
Максимальная мощность рассеяния | - | 1.56W Ta 2.8W Tc | - |
Безоловая кодировка | - | yes | yes |
Сопротивление | - | 26mOhm | 28MOhm |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) | MATTE TIN |
Форма вывода | - | GULL WING | - |
Число контактов | - | 6 | 6 |
Конфигурация элемента | - | Single | Dual |
Распад мощности | - | 1.56W | 1.9W |
Угол настройки (макс.) | - | ±8V | - |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | 4A | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | 12V | 12V |
Номинальное Vgs | - | 400 mV | 400 mV |
REACH SVHC | - | Unknown | Unknown |
Основной номер части | - | - | SIA910E |
Пороговое напряжение | - | - | 400mV |
Характеристика ТРП | - | - | Logic Level Gate |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIA910EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | PowerPAK® SC-70-6 Dual | Dual N-Channel 12 V 28 mOhm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SC-70-6L | Для сравнения |
| SIA517DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | PowerPAK® SC-70-6 Dual | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6 | Для сравнения |
 | DMN1032UCB4-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 4-UFBGA, WLBGA | MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W | Для сравнения |
 | SI1422DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6 | Для сравнения |