DMC1229UFDB-7Diodes Incorporated
В наличии: 230
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
45.094176 ₽
45.05 ₽
10
42.541648 ₽
425.41 ₽
100
40.133626 ₽
4,013.32 ₽
500
37.861937 ₽
18,930.91 ₽
1000
35.718805 ₽
35,718.82 ₽
Цена за единицу: 45.094176 ₽
Итоговая цена: 45.05 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6 | MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W | MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6 |
Срок поставки от производителя | 15 Weeks | 34 Weeks | - |
Покрытие контактов | Gold | - | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-UDFN Exposed Pad | 4-UFBGA, WLBGA | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Количество контактов | 6 | 4 | 6 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 5.6A 3.8A | 4.8A Ta | 4A Tc |
Количество элементов | 2 | 1 | 1 |
Время отключения | 27.8 ns | 24 ns | 20 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | Automotive, AEC-Q101 | - | TrenchFET® |
Опубликовано | 2013 | 2015 | 2014 |
Код JESD-609 | e4 | e1 | e3 |
Состояние изделия | Active | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 4 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY | - |
Максимальная потеря мощности | 1.4W | - | - |
Положение терминала | DUAL | BOTTOM | DUAL |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | NOT SPECIFIED | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | NOT SPECIFIED | 30 |
Каналов количество | 2 | 1 | 1 |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Сокетная связка | DRAIN | - | - |
Время задержки включения | 5.7 ns | 3.3 ns | 10 ns |
Тип ТРВ | N and P-Channel | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 29m Ω @ 5A, 4.5V | 26m Ω @ 1A, 4.5V | 26m Ω @ 5.1A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1V @ 250μA | 1.2V @ 250μA | 1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 914pF @ 6V | 450pF @ 6V | 725pF @ 6V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 19.6nC @ 8V | 4.5nC @ 4.5V | 20nC @ 8V |
Время подъема | 11.5ns | 5.6ns | 10ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 12V | - | - |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | - | - |
Время падения (тип) | 26.4 ns | 9 ns | 10 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 3.8A | 4.8A | 4A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 8V | 8V | 8V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - |
Высота | 555μm | - | - |
Длина | 2.08mm | - | - |
Ширина | 2.075mm | - | - |
Корпусировка на излучение | No | - | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - | Lead Free |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | 1.8V 4.5V | 1.8V 4.5V |
Максимальная мощность рассеяния | - | 900mW Ta | 1.56W Ta 2.8W Tc |
Конечная обработка контакта | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | Matte Tin (Sn) |
Форма вывода | - | BALL | GULL WING |
Конфигурация элемента | - | Single | Single |
Угол настройки (макс.) | - | ±8V | ±8V |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.038Ohm | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | 12V | 12V |
Вес | - | - | 7.512624mg |
Безоловая кодировка | - | - | yes |
Сопротивление | - | - | 26mOhm |
Число контактов | - | - | 6 |
Распад мощности | - | - | 1.56W |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | - | 4A |
Номинальное Vgs | - | - | 400 mV |
REACH SVHC | - | - | Unknown |