Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMC1029UFDB-7 Альтернативные части: SIA517DJ-T1-GE3 ,DMC1229UFDB-13
DMC1029UFDB-7Diodes Incorporated
В наличии: 2990
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
113.215165 ₽
113.19 ₽
10
106.806799 ₽
1,068.13 ₽
100
100.761113 ₽
10,076.10 ₽
500
95.057665 ₽
47,528.85 ₽
1000
89.677060 ₽
89,677.06 ₽
Цена за единицу: 113.215165 ₽
Итоговая цена: 113.19 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N/P-CH 12V 6UDFN | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6 | MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6 |
Покрытие контактов | Gold | - | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-UDFN Exposed Pad | PowerPAK® SC-70-6 Dual | 6-UDFN Exposed Pad |
Количество контактов | 6 | 6 | 6 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 5.6A 3.8A | - | 5.6A 3.8A |
Количество элементов | 2 | 2 | 2 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Код JESD-609 | e4 | e3 | e4 |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Максимальная потеря мощности | 1.4W | 6.5W | 1.4W |
Положение терминала | DUAL | - | DUAL |
Форма вывода | NO LEAD | NO LEAD | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | 40 | 30 |
Конфигурация | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | - | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Сокетная связка | DRAIN | DRAIN | DRAIN |
Тип ТРВ | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 29m Ω @ 5A, 4.5V | 29m Ω @ 5A, 4.5V | 29m Ω @ 5A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1V @ 250μA | 1V @ 250μA | 1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 914pF @ 6V | 500pF @ 6V | 914pF @ 6V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 19.6nC @ 8V | 15nC @ 8V | 19.6nC @ 8V |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 12V | 12V | 12V |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
Непрерывный ток стока (ID) | 3.8A | 4.5A | 3.8A |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.029Ohm | - | 0.029Ohm |
Минимальная напряжённость разрушения | 12V | - | 12V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Срок поставки от производителя | - | 14 Weeks | 15 Weeks |
Вес | - | 28.009329mg | - |
Время отключения | - | 30 ns | - |
Серия | - | TrenchFET® | - |
Опубликовано | - | 2017 | 2014 |
Безоловая кодировка | - | yes | - |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
Основной номер части | - | SIA517 | - |
Число контактов | - | 6 | - |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified | - |
Каналов количество | - | 2 | - |
Распад мощности | - | 1.9W | - |
Время задержки включения | - | 30 ns | - |
Время подъема | - | 25ns | - |
Время падения (тип) | - | 25 ns | - |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | - | 8V | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | 12V | - |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | 150°C | - |
Номинальное Vgs | - | 400 mV | - |
Высота | - | 800μm | - |
Длина | - | 2.05mm | - |
Ширина | - | 2.05mm | - |
REACH SVHC | - | Unknown | - |
Без свинца | - | Lead Free | - |
Дополнительная Характеристика | - | - | HIGH RELIABILITY |
Нормативная Марка | - | - | AEC-Q101 |
Корпусировка на излучение | - | - | No |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMC1229UFDB-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6 | Для сравнения |
 | SIA517DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | PowerPAK® SC-70-6 Dual | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6 | Для сравнения |
| DMC1229UFDB-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6 | Для сравнения |
 | SI1422DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6 | Для сравнения |