DF02S-T Альтернативные части: HD02-T ,S1PM-M3/84A

DF02S-TDiodes Incorporated

  • DF02S-TDiodes Incorporated
  • HD02-TDiodes Incorporated
  • S1PM-M3/84AVishay Semiconductor Diodes Division

В наличии: 2788

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    12.853984 ₽

    12.91 ₽

  • 10

    12.126401 ₽

    121.29 ₽

  • 100

    11.440000 ₽

    1,143.96 ₽

  • 500

    10.792459 ₽

    5,396.29 ₽

  • 1000

    10.181552 ₽

    10,181.59 ₽

Цена за единицу: 12.853984 ₽

Итоговая цена: 12.91 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DF-S
RECT BRIDGE GP 200V 0.8A MINIDIP
VISHAY S1PM-M3/84AStandard Power Diode, Single, 1 kV, 1 A, 1.1 V, 30 A, 150 C
Срок поставки от производителя
9 Weeks
10 Weeks
10 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
4-SMD, Gull Wing
4-SMD, Gull Wing
DO-220AA
Количество контактов
4
4
2
Материал диодного элемента
SILICON
SILICON
-
Пороговая напряжённость / В
200V
-
-
Количество элементов
1
1
-
Рабочая температура
-65°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2012
2010
2009
Код JESD-609
e3
e3
-
Безоловая кодировка
no
no
-
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
4
4
-
Завершение
SMD/SMT
SMD/SMT
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
-
Дополнительная Характеристика
UL RECOGNIZED
UL RECOGNIZED
-
Положение терминала
DUAL
DUAL
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
-
Число контактов
4
4
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Тип диода
Single Phase
Single Phase
Standard
Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr
10μA @ 200V
5μA @ 200V
1μA @ 1000V
Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If
1.1V @ 1A
1V @ 400mA
1.1V @ 1A
Напряжённая мощность
1A
400mA
1A
Максимальный импульсный ток
50A
30A
30A
Выводная мощность-макс
1A
-
-
Напряжение включения
1.1V
1V
1.1V
Средний выпрямленный ток
1A
800mA
1A
Количество фаз
1
1
-
Пиковая обратная токовая сила
10μA
5μA
1μA
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм)
200V
200V
1kV
Пиковый нерегулярный импульсный ток
50A
30A
30A
Максимальный передний импульсный ток (Ifsm)
50A
30A
30A
Обратная напряжение (DC)
140V
140V
1kV
Высота
3.4mm
2.7mm
1.15mm
Длина
8.51mm
4.9mm
3.61mm
Ширина
6.5mm
4mm
2.18mm
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Конечная обработка контакта
-
Matte Tin (Sn)
-
Капацитивность
-
10pF
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
200V
-
Моментальный ток
-
800mA
-
Основной номер части
-
HD02
S1PM
Ток выпуска
-
800mA
-
REACH SVHC
-
No SVHC
Unknown
Поставщик упаковки устройства
-
-
DO-220AA (SMP)
Вес
-
-
24.012046mg
Серия
-
-
eSMP®
Максимальная рабочая температура
-
-
150°C
Минимальная температура работы
-
-
-55°C
Скорость
-
-
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Температура работы - переходная
-
-
-55°C~150°C
Максимальное обратное напряжение (Вр)
-
-
1000V
Ток - Средний прямоугольный
-
-
1A
Максимальное обратное напряжение (постоянное)
-
-
1kV
Время обратной рекомпенсации
-
-
1.8 μs
Емкость @ Vr, Ф
-
-
6pF @ 4V 1MHz
Время восстановления
-
-
1.8 μs