DF01S Альтернативные части: DF08SA-E3/45 ,DF1501S-E3/77

DF01SON Semiconductor

  • DF01SON Semiconductor
  • DF08SA-E3/45Vishay Semiconductor Diodes Division
  • DF1501S-E3/77Vishay Semiconductor Diodes Division

В наличии: 39

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    46.852747 ₽

    46.84 ₽

  • 10

    44.200701 ₽

    442.03 ₽

  • 100

    41.698777 ₽

    4,169.92 ₽

  • 500

    39.338475 ₽

    19,669.23 ₽

  • 1000

    37.111758 ₽

    37,111.81 ₽

Цена за единицу: 46.852747 ₽

Итоговая цена: 46.84 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
IC RECT BRIDGE 100V 1.5A 4-SMD
Diode Rectifier Bridge Single 800V 1A 4-Pin Case DFS Tube
Bridge Rectifiers 1.5 Amp 100 Volt 50 Amp IFSM
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 21 hours ago)
-
-
Срок поставки от производителя
13 Weeks
8 Weeks
8 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
4-SMD, Gull Wing
4-SMD, Gull Wing
4-SMD, Gull Wing
Количество контактов
4
4
4
Поставщик упаковки устройства
4-SDIP
-
-
Вес
484.011408mg
-
-
Количество элементов
1
1
1
Номинальное напряжение
100V
-
-
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tube
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2011
2009
2011
Допуск
5%
-
-
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура
150°C
-
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
-
Капацитивность
750pF
-
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
100V
-
-
Максимальная потеря мощности
3.1W
-
-
Моментальный ток
1.5A
-
-
Основной номер части
DF01
DF08
DF1501
Код корпуса (метрический)
2012
-
-
Код корпуса (имперский)
0805
-
-
Напряжение
100V
-
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Текущий
1A
-
-
Тип диода
Single Phase
Single Phase
Single Phase
Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr
5μA @ 100V
5μA @ 800V
5μA @ 100V
Распад мощности
3.1W
-
-
Ток выпуска
1.5A
-
-
Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If
1.1V @ 1.5A
1.1V @ 1A
1.1V @ 1.5A
Напряжённая мощность
1.5A
-
1.5A
Максимальный обратный ток утечки
5μA
5μA
5μA
Максимальный импульсный ток
50A
30A
50A
Ток - Средний прямоугольный
1.5A
1A
-
Напряжение включения
1.1V
1.1V
1.1V
Средний выпрямленный ток
1.5A
-
1.5A
Пиковая обратная токовая сила
5μA
5μA
5μA
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм)
100V
800V
100V
Пиковый нерегулярный импульсный ток
50A
30A
50A
Максимальный передний импульсный ток (Ifsm)
50A
-
-
Напряжение - Пиковое обратное (Макс)
100V
-
-
Высота
3.3mm
3.3mm
3.3mm
Длина
2.0066mm
8.51mm
8.51mm
Ширина
6.5mm
6.5mm
6.5mm
Толщина
711.2μm
-
-
REACH SVHC
No SVHC
-
-
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
-
Lead Free
Оценки
AEC-Q200
-
-
Материал диодного элемента
-
SILICON
SILICON
Код JESD-609
-
e3
e3
Безоловая кодировка
-
yes
-
Количество выводов
-
4
4
Код ECCN
-
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
-
Matte Tin (Sn)
Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика
-
UL RECOGNIZED
-
Положение терминала
-
DUAL
DUAL
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
250
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
40
-
Число контактов
-
4
4
Выводная мощность-макс
-
1A
-
Количество фаз
-
1
1