DDTD122TU-7 Альтернативные части: DTC144TUAT106

DDTD122TU-7Diodes Incorporated

В наличии: 4798

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
0.030701 ₽
0.14 ₽
500
0.022541 ₽
11.26 ₽
1000
0.018805 ₽
18.82 ₽
2000
0.017266 ₽
34.48 ₽
5000
0.016113 ₽
80.49 ₽
10000
0.014973 ₽
149.73 ₽
15000
0.014492 ₽
217.31 ₽
50000
0.014299 ₽
714.97 ₽

Цена за единицу: 0.030701 ₽

Итоговая цена: 0.14 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDDTD122TU-7	иDTC144TUAT106
Производитель:	Diodes Incorporated	ROHM Semiconductor
Описание:	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SC-70, SOT-323	SC-70, SOT-323
Вес	6.010099mg	-
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V
Количество элементов	1	1
Минимальная частота работы в герцах	100	100
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2007	2009
Код JESD-609	e0	e1
Безоловая кодировка	no	yes
Состояние изделия	Discontinued	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	TIN LEAD	TIN SILVER COPPER
Максимальная рабочая температура	150°C	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C
Дополнительная Характеристика	BUILT-IN BIAS RESISTOR	BUILT-IN BIAS RESISTOR
Ток постоянного напряжения - номинальный	50V	50V
Максимальная потеря мощности	200mW	200mW
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	235	260
Код соответствия REACH	unknown	-
Моментальный ток	500mA	100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	10	10
Число контактов	3	3
Код JESD-30	R-PDSO-G3	-
Квалификационный Статус	Not Qualified	-
Направленность	NPN	NPN
Конфигурация элемента	Single	Single
Тип транзистора	NPN - Pre-Biased	NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	50V
Максимальный ток сбора	500mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	100 @ 5mA 5V	100 @ 1mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	500nA	500nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA	300mV @ 500μA, 5mA
Частота перехода	200MHz	250MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V
Частота - Переход	200MHz	250MHz
База (R1)	220 Ω	47 k Ω
Прямоходящий ток коллектора	500mA	100mA
Высота	1mm	-
Длина	2.2mm	-
Ширина	1.35mm	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Contains Lead	Lead Free
Срок поставки от производителя	-	13 Weeks
Количество контактов	-	3
Завершение	-	SMD/SMT
Код ТН ВЭД	-	8541.21.00.75
Основной номер части	-	DTC144
Распад мощности	-	200mW
Применение транзистора	-	SWITCHING
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	-	5V
REACH SVHC	-	No SVHC
Корпусировка на излучение	-	No

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DTC144TUAT106	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-70, SOT-323	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3	Для сравнения
DDTD114TU-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-70, SOT-323	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323	Для сравнения
DDTD143TU-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-70, SOT-323	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323	Для сравнения
DDTD122LU-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-70, SOT-323	Trans Digital BJT NPN 500mA 3-Pin SOT-323 T/R	Для сравнения