Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DDTC143XCA-7-F Альтернативные части: DDTC114ECA-7-F ,FJV3105RMTF
DDTC143XCA-7-FDiodes Incorporated
В наличии: 3630
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
11.858420 ₽
11.81 ₽
10
11.187198 ₽
111.81 ₽
100
10.553956 ₽
1,055.36 ₽
500
9.956607 ₽
4,978.30 ₽
1000
9.393022 ₽
9,392.99 ₽
Цена за единицу: 11.858420 ₽
Итоговая цена: 11.81 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | Transistors Switching - Resistor Biased 50V/100mA/4.7K 10K |
Срок поставки от производителя | 19 Weeks | 19 Weeks | 13 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Вес | 7.994566mg | 7.994566mg | 30mg |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 30 | 30 | 30 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2017 | 2011 | 2016 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Last Time Buy |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C | -55°C |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | 8541.21.00.75 | 8541.21.00.95 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 50V | 50V | 50V |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 200mW | 200mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | - |
Моментальный ток | 100mA | 100mA | 100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 | - |
Основной номер части | DTC143 | DDTC114 | FJV3105 |
Число контактов | 3 | 3 | - |
Направленность | NPN | NPN | NPN |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Тип транзистора | NPN - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 300mV | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 30 @ 10mA 5V | 30 @ 5mA 5V | 30 @ 5mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 500nA | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA | 300mV @ 500μA, 10mA | 300mV @ 500μA, 10mA |
Частота перехода | 250MHz | 250MHz | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | 250MHz | 250MHz |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 20V | - | 10V |
База (R1) | 4.7 k Ω | 10 k Ω | 4.7 k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 100mA | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 10 k Ω | 10 k Ω | 10 k Ω |
Высота | 1mm | 1mm | - |
Длина | 3.05mm | 3.05mm | - |
Ширина | 1.4mm | 1.4mm | - |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Дополнительная Характеристика | - | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 | - |
Максимальный выходной ток | - | 100mA | - |
Входной напряжение питания | - | 50V | - |
Состояние жизненного цикла | - | - | LIFETIME (Last Updated: 2 days ago) |
Распад мощности | - | - | 200mW |
Применение транзистора | - | - | SWITCHING |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | - | - | 50V |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FJV3102RMTF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |
 | DDTC114GCA-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |
| DDTC114ECA-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | Для сравнения |
| FJV3105RMTF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Transistors Switching - Resistor Biased 50V/100mA/4.7K 10K | Для сравнения |