DDTC123YUA-7-F Альтернативные части: DDTC113ZUA-7-F

DDTC123YUA-7-FDiodes Incorporated

  • DDTC123YUA-7-FDiodes Incorporated
  • DDTC113ZUA-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 12000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    10.770220 ₽

    10.71 ₽

  • 10

    10.160577 ₽

    101.65 ₽

  • 100

    9.585481 ₽

    958.52 ₽

  • 500

    9.042912 ₽

    4,521.43 ₽

  • 1000

    8.531044 ₽

    8,531.04 ₽

Цена за единицу: 10.770220 ₽

Итоговая цена: 10.71 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
Срок поставки от производителя
19 Weeks
19 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
Количество контактов
3
3
Вес
6.010099mg
6.010099mg
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
33
33
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2011
2007
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
Matte Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
Дополнительная Характеристика
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 4.55
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 10
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный
50V
50V
Максимальная потеря мощности
200mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Моментальный ток
100mA
100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
Основной номер части
DDTC123
DDTC113
Число контактов
3
3
Квалификационный Статус
Not Qualified
Not Qualified
Направленность
NPN
NPN
Конфигурация элемента
Single
Single
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
300mV
300mV
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
33 @ 10mA 5V
33 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
500nA
500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 500μA, 10mA
300mV @ 500μA, 10mA
Частота перехода
250MHz
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
Частота - Переход
250MHz
250MHz
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
12V
-
База (R1)
2.2 k Ω
1 k Ω
Прямоходящий ток коллектора
100mA
100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)
10 k Ω
10 k Ω
Высота
1mm
1mm
Длина
2.2mm
2.2mm
Ширина
1.35mm
1.35mm
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free