Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DDTC123TUA-7-F Альтернативные части: DTC113ZUAT106 ,BC847BW-7-F
DDTC123TUA-7-FDiodes Incorporated
В наличии: 2888
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
5.612788 ₽
5.63 ₽
500
4.127074 ₽
2,063.60 ₽
1000
3.439245 ₽
3,439.29 ₽
2000
3.155247 ₽
6,310.44 ₽
5000
2.948777 ₽
14,743.96 ₽
10000
2.743063 ₽
27,430.63 ₽
15000
2.652885 ₽
39,793.27 ₽
50000
2.608558 ₽
130,427.88 ₽
Цена за единицу: 5.612788 ₽
Итоговая цена: 5.63 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 2.2K | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-323 |
Срок поставки от производителя | 19 Weeks | 10 Weeks | 19 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Вес | 6.010099mg | - | 6.010099mg |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 45V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2007 | 2006 | 2007 |
Код JESD-609 | e3 | e1 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Not For New Designs | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | - |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C | - |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C | - |
Дополнительная Характеристика | BUILT-IN BIAS RESISTOR | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10 | - |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | 8541.21.00.75 | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 50V | 50V | 45V |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 200mW | 200mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Моментальный ток | 100mA | 100mA | 100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 10 | 40 |
Число контактов | 3 | 3 | 3 |
Квалификационный Статус | Not Qualified | - | - |
Направленность | NPN | NPN | - |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Тип транзистора | NPN - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 300mV | 45V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 100 @ 1mA 5V | 33 @ 5mA 5V | 200 @ 2mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA ICBO | 500nA | 20nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 5mA | 300mV @ 500μA, 10mA | 600mV @ 5mA, 100mA |
Частота перехода | 250MHz | 250MHz | 300MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V | 45V |
Частота - Переход | 250MHz | 250MHz | - |
База (R1) | 2.2 k Ω | 1 k Ω | - |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 100mA | - |
Высота | 1mm | - | 1.1mm |
Длина | 2.2mm | - | 2.2mm |
Ширина | 1.35mm | - | 1.35mm |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Минимальная частота работы в герцах | - | 33 | 200 |
Завершение | - | SMD/SMT | SMD/SMT |
Основной номер части | - | DTC113 | BC847 |
Максимальный выходной ток | - | 100mA | - |
Входной напряжение питания | - | 50V | - |
Распад мощности | - | 200mW | 200mW |
Применение транзистора | - | SWITCHING | SWITCHING |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | - | 10 k Ω | - |
REACH SVHC | - | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | - | No | No |
Покрытие контактов | - | - | Tin |
Материал элемента транзистора | - | - | SILICON |
Рабочая температура | - | - | -65°C~150°C TJ |
Частота | - | - | 300MHz |
Продуктивность полосы частот | - | - | 300MHz |
Полярность/Тип канала | - | - | NPN |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | - | - | 50V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - | - | 6V |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | - | 150°C |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC847BW-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | SC-70, SOT-323 | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-323 | Для сравнения |
| BC846BW-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | SC-70, SOT-323 | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-323 | Для сравнения |
| DDTC114EUA-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 | Для сравнения |
 | DTC113ZUAT106 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | Для сравнения |