DDTC123EUA-7-F Альтернативные части: DDTC143EUA-7-F ,BC847BW-7-F

DDTC123EUA-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 2460

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
23.986264 ₽
24.04 ₽
10
22.628544 ₽
226.24 ₽
100
21.347679 ₽
2,134.75 ₽
500
20.139341 ₽
10,069.64 ₽
1000
18.999327 ₽
18,999.31 ₽

Цена за единицу: 23.986264 ₽

Итоговая цена: 24.04 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDDTC123EUA-7-F	иDDTC143EUA-7-F	иBC847BW-7-F
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323	Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 4.7K	Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-323
Срок поставки от производителя	19 Weeks	19 Weeks	19 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SC-70, SOT-323	SC-70, SOT-323	SC-70, SOT-323
Количество контактов	3	3	3
Вес	6.010099mg	6.010099mg	6.010099mg
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	45V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	20	20	200
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2007	2007	2007
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	-
Максимальная рабочая температура	150°C	150°C	-
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C	-
Дополнительная Характеристика	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1	-
Код ТН ВЭД	8541.21.00.75	8541.21.00.75	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	50V	50V	45V
Максимальная потеря мощности	200mW	200mW	200mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Моментальный ток	100mA	100mA	100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	40
Основной номер части	DDTC123	DTC143	BC847
Число контактов	3	3	3
Квалификационный Статус	Not Qualified	Not Qualified	-
Максимальный выходной ток	100mA	100mA	-
Входной напряжение питания	50V	50V	-
Направленность	NPN	NPN	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Тип транзистора	NPN - Pre-Biased	NPN - Pre-Biased	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	50V	50V	45V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	20 @ 20mA 5V	20 @ 10mA 5V	200 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	500nA	500nA	20nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 500μA, 10mA	300mV @ 500μA, 10mA	600mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода	250MHz	250MHz	300MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V	45V
Частота - Переход	250MHz	250MHz	-
База (R1)	2.2 k Ω	4.7 k Ω	-
Прямоходящий ток коллектора	100mA	100mA	-
Резистор - Эмиттер-База (R2)	2.2 k Ω	4.7 k Ω	-
Высота	1mm	1mm	1.1mm
Длина	2.2mm	2.2mm	2.2mm
Ширина	1.35mm	1.35mm	1.35mm
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	-	30V	6V
Покрытие контактов	-	-	Tin
Материал элемента транзистора	-	-	SILICON
Рабочая температура	-	-	-65°C~150°C TJ
Завершение	-	-	SMD/SMT
Частота	-	-	300MHz
Распад мощности	-	-	200mW
Применение транзистора	-	-	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	-	-	300MHz
Полярность/Тип канала	-	-	NPN
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	-	-	50V
Максимальная температура перехода (Тj)	-	-	150°C
REACH SVHC	-	-	No SVHC
Корпусировка на излучение	-	-	No

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DDTC143EUA-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-70, SOT-323	Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 4.7K	Для сравнения
BC847BW-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-323	Для сравнения
FJX3001RTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-70, SOT-323	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323	Для сравнения
DDTC114WUA-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-70, SOT-323	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323	Для сравнения