Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DDTC123EUA-7-F Альтернативные части: BC847BW-7-F ,FJX3001RTF
DDTC123EUA-7-FDiodes Incorporated
В наличии: 2460
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
23.986264 ₽
24.04 ₽
10
22.628544 ₽
226.24 ₽
100
21.347679 ₽
2,134.75 ₽
500
20.139341 ₽
10,069.64 ₽
1000
18.999327 ₽
18,999.31 ₽
Цена за единицу: 23.986264 ₽
Итоговая цена: 24.04 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-323 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 |
Срок поставки от производителя | 19 Weeks | 19 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Вес | 6.010099mg | 6.010099mg | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 45V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 | - |
Минимальная частота работы в герцах | 20 | 200 | 20 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2007 | 2007 | 2002 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | - |
Безоловая кодировка | yes | yes | - |
Состояние изделия | Active | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | - |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | - | - |
Максимальная рабочая температура | 150°C | - | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | - | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1 | - | - |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | - | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 50V | 45V | 50V |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 200mW | 200mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | - |
Моментальный ток | 100mA | 100mA | 100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 | - |
Основной номер части | DDTC123 | BC847 | - |
Число контактов | 3 | 3 | - |
Квалификационный Статус | Not Qualified | - | - |
Максимальный выходной ток | 100mA | - | - |
Входной напряжение питания | 50V | - | - |
Направленность | NPN | - | NPN |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Тип транзистора | NPN - Pre-Biased | NPN | NPN - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 45V | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 20 @ 20mA 5V | 200 @ 2mA 5V | 20 @ 10mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 20nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA | 600mV @ 5mA, 100mA | 300mV @ 500μA, 10mA |
Частота перехода | 250MHz | 300MHz | - |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 45V | - |
Частота - Переход | 250MHz | - | 250MHz |
База (R1) | 2.2 k Ω | - | 4.7 kOhms |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | - | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 2.2 k Ω | - | 4.7 kOhms |
Высота | 1mm | 1.1mm | - |
Длина | 2.2mm | 2.2mm | - |
Ширина | 1.35mm | 1.35mm | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Покрытие контактов | - | Tin | - |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | - |
Рабочая температура | - | -65°C~150°C TJ | - |
Завершение | - | SMD/SMT | - |
Частота | - | 300MHz | - |
Распад мощности | - | 200mW | 200mW |
Применение транзистора | - | SWITCHING | - |
Продуктивность полосы частот | - | 300MHz | - |
Полярность/Тип канала | - | NPN | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | - | 50V | - |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - | 6V | 10V |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | 150°C | - |
REACH SVHC | - | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | - | No | - |
Поставщик упаковки устройства | - | - | SC-70 (SOT323) |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | - | - | 100mA |
Мощность - Макс | - | - | 200mW |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | - | - | 50V |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DDTC143EUA-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 4.7K | Для сравнения |
| BC847BW-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | SC-70, SOT-323 | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-323 | Для сравнения |
 | FJX3001RTF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 | Для сравнения |
| DDTC114WUA-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 | Для сравнения |