DDTC114WUA-7-FDiodes Incorporated
В наличии: 2520
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
4.883599 ₽
4.95 ₽
500
3.590838 ₽
1,795.47 ₽
1000
2.992431 ₽
2,992.45 ₽
2000
2.745371 ₽
5,490.80 ₽
5000
2.565769 ₽
12,828.85 ₽
10000
2.386731 ₽
23,867.31 ₽
15000
2.308242 ₽
34,623.63 ₽
50000
2.269670 ₽
113,483.52 ₽
Цена за единицу: 4.883599 ₽
Итоговая цена: 4.95 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 |
Срок поставки от производителя | 19 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 2.012816mg | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | - |
Минимальная частота работы в герцах | 24 | 20 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2007 | 2002 |
Код JESD-609 | e3 | - |
Безоловая кодировка | yes | - |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | - |
Код ECCN | EAR99 | - |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | - |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 0.47 | - |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 50V | 50V |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 200mW |
Положение терминала | DUAL | - |
Форма вывода | GULL WING | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - |
Моментальный ток | 100mA | 100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | - |
Основной номер части | DDTC114 | - |
Число контактов | 3 | - |
Квалификационный Статус | Not Qualified | - |
Направленность | NPN | NPN |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Тип транзистора | NPN - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 24 @ 10mA 5V | 20 @ 10mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA | 300mV @ 500μA, 10mA |
Частота перехода | 250MHz | - |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | - |
Частота - Переход | 250MHz | 250MHz |
База (R1) | 10 k Ω | 4.7 kOhms |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 4.7 k Ω | 4.7 kOhms |
Высота | 1mm | - |
Длина | 2.2mm | - |
Ширина | 1.35mm | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Поставщик упаковки устройства | - | SC-70 (SOT323) |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | - | 100mA |
Распад мощности | - | 200mW |
Мощность - Макс | - | 200mW |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | - | 50V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - | 10V |