DDTC114WUA-7-F Альтернативные части: FJX3001RTF

DDTC114WUA-7-FDiodes Incorporated

  • DDTC114WUA-7-FDiodes Incorporated
  • FJX3001RTFON Semiconductor

В наличии: 2520

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    4.883599 ₽

    4.95 ₽

  • 500

    3.590838 ₽

    1,795.47 ₽

  • 1000

    2.992431 ₽

    2,992.45 ₽

  • 2000

    2.745371 ₽

    5,490.80 ₽

  • 5000

    2.565769 ₽

    12,828.85 ₽

  • 10000

    2.386731 ₽

    23,867.31 ₽

  • 15000

    2.308242 ₽

    34,623.63 ₽

  • 50000

    2.269670 ₽

    113,483.52 ₽

Цена за единицу: 4.883599 ₽

Итоговая цена: 4.95 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
Срок поставки от производителя
19 Weeks
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
Количество контактов
3
3
Вес
2.012816mg
-
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
Количество элементов
1
-
Минимальная частота работы в герцах
24
20
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2007
2002
Код JESD-609
e3
-
Безоловая кодировка
yes
-
Состояние изделия
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
-
Код ECCN
EAR99
-
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
-
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
Дополнительная Характеристика
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 0.47
-
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
50V
50V
Максимальная потеря мощности
200mW
200mW
Положение терминала
DUAL
-
Форма вывода
GULL WING
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
Моментальный ток
100mA
100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
-
Основной номер части
DDTC114
-
Число контактов
3
-
Квалификационный Статус
Not Qualified
-
Направленность
NPN
NPN
Конфигурация элемента
Single
Single
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
300mV
50V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
24 @ 10mA 5V
20 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
500nA
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 500μA, 10mA
300mV @ 500μA, 10mA
Частота перехода
250MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
50V
-
Частота - Переход
250MHz
250MHz
База (R1)
10 k Ω
4.7 kOhms
Прямоходящий ток коллектора
100mA
100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)
4.7 k Ω
4.7 kOhms
Высота
1mm
-
Длина
2.2mm
-
Ширина
1.35mm
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Поставщик упаковки устройства
-
SC-70 (SOT323)
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
100mA
Распад мощности
-
200mW
Мощность - Макс
-
200mW
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-
10V