DDTC114TUA-7-F Альтернативные части: DDTC115TUA-7-F ,DDTC143ZUA-7-F

DDTC114TUA-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 8255

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
23.986264 ₽
24.04 ₽
10
22.628544 ₽
226.24 ₽
100
21.347679 ₽
2,134.75 ₽
500
20.139341 ₽
10,069.64 ₽
1000
18.999327 ₽
18,999.31 ₽

Цена за единицу: 23.986264 ₽

Итоговая цена: 24.04 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDDTC114TUA-7-F	иDDTC115TUA-7-F	иDDTC143ZUA-7-F
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
Срок поставки от производителя	19 Weeks	19 Weeks	19 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SC-70, SOT-323	SC-70, SOT-323	SC-70, SOT-323
Количество контактов	3	3	3
Вес	7.994566mg	7.994566mg	6.010099mg
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	50V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	100	100	80
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2007	2007	2011
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	-
Максимальная рабочая температура	150°C	150°C	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C	-55°C
Дополнительная Характеристика	BUILT-IN BIAS RESISTOR	BUILT-IN BIAS RESISTOR	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 10
Код ТН ВЭД	8541.21.00.75	8541.21.00.75	8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный	50V	50V	50V
Максимальная потеря мощности	200mW	200mW	200mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Моментальный ток	100mA	100mA	100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	40
Основной номер части	DDTC114	DDTC115	DTC143
Число контактов	3	3	3
Квалификационный Статус	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
Направленность	NPN	NPN	NPN
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Тип транзистора	NPN - Pre-Biased	NPN - Pre-Biased	NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	50V	50V	300mV
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	100 @ 1mA 5V	100 @ 1mA 5V	80 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	500nA ICBO	500nA ICBO	500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 100μA, 1mA	300mV @ 100μA, 1mA	300mV @ 250μA, 5mA
Частота перехода	250MHz	250MHz	250MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V	50V
Частота - Переход	250MHz	250MHz	250MHz
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	5V	30V
База (R1)	10 k Ω	100 k Ω	4.7 k Ω
Прямоходящий ток коллектора	100mA	100mA	100mA
Высота	1mm	1mm	1mm
Длина	2.2mm	2.2mm	2.2mm
Ширина	1.35mm	1.35mm	1.35mm
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Покрытие контактов	-	-	Tin
Резистор - Эмиттер-База (R2)	-	-	47 k Ω

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DTC144TUAT106	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-70, SOT-323	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3	Для сравнения
DDTC115TUA-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-70, SOT-323	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323	Для сравнения
DDTC143ZUA-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-70, SOT-323	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323	Для сравнения
DDTC113TUA-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-70, SOT-323	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323	Для сравнения