Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DDTC114ECA-7-F Альтернативные части: FJV3105RMTF ,FJV3102RMTF
DDTC114ECA-7-FDiodes Incorporated
В наличии: 5
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
3.232005 ₽
3.30 ₽
10
3.049066 ₽
30.49 ₽
100
2.876470 ₽
287.64 ₽
500
2.713654 ₽
1,356.87 ₽
1000
2.560055 ₽
2,560.03 ₽
Цена за единицу: 3.232005 ₽
Итоговая цена: 3.30 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | Transistors Switching - Resistor Biased 50V/100mA/4.7K 10K | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R |
Срок поставки от производителя | 19 Weeks | 13 Weeks | 14 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Вес | 7.994566mg | 30mg | 30mg |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 30 | 30 | 30 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2011 | 2016 | 2016 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Last Time Buy | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 | - | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | 8541.21.00.95 | 8541.21.00.95 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 50V | 50V | 50V |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 200mW | 200mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | - |
Моментальный ток | 100mA | 100mA | 100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | - | - |
Основной номер части | DDTC114 | FJV3105 | FJV3102 |
Число контактов | 3 | - | - |
Максимальный выходной ток | 100mA | - | - |
Входной напряжение питания | 50V | - | - |
Направленность | NPN | NPN | NPN |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Тип транзистора | NPN - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 50V | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 30 @ 5mA 5V | 30 @ 5mA 5V | 30 @ 5mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 100nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA | 300mV @ 500μA, 10mA | 300mV @ 500μA, 10mA |
Частота перехода | 250MHz | 250MHz | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | 250MHz | 250MHz |
База (R1) | 10 k Ω | 4.7 k Ω | 10 k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 100mA | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 10 k Ω | 10 k Ω | 10 k Ω |
Высота | 1mm | - | - |
Длина | 3.05mm | - | - |
Ширина | 1.4mm | - | - |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | LIFETIME (Last Updated: 2 days ago) | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) |
Распад мощности | - | 200mW | 200mW |
Применение транзистора | - | SWITCHING | SWITCHING |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | - | 50V | 50V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - | 10V | 10V |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FJV3102RMTF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |
 | DDTC114GCA-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |
| DDTC143XCA-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | Для сравнения |
| FJV3105RMTF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Transistors Switching - Resistor Biased 50V/100mA/4.7K 10K | Для сравнения |