DDTC113TUA-7-F Альтернативные части: DDTC114TUA-7-F ,DDTC115TUA-7

DDTC113TUA-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 2850

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
4.519011 ₽
4.53 ₽
500
3.322775 ₽
1,661.40 ₽
1000
2.768970 ₽
2,768.96 ₽
2000
2.540343 ₽
5,080.63 ₽
5000
2.374162 ₽
11,870.88 ₽
10000
2.208558 ₽
22,085.58 ₽
15000
2.135934 ₽
32,039.01 ₽
50000
2.100234 ₽
105,011.68 ₽

Цена за единицу: 4.519011 ₽

Итоговая цена: 4.53 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDDTC113TUA-7-F	иDDTC114TUA-7-F	иDDTC115TUA-7
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
Срок поставки от производителя	5 Weeks	19 Weeks	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	-
Корпус / Кейс	SC-70, SOT-323	SC-70, SOT-323	SOT-323
Количество контактов	3	3	-
Вес	7.994566mg	7.994566mg	-
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	50V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	100	100	100
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2007	2007	2007
Код JESD-609	e3	e3	e0
Безоловая кодировка	yes	yes	no
Состояние изделия	Active	Active	Discontinued
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	TIN LEAD
Максимальная рабочая температура	150°C	150°C	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C	-55°C
Дополнительная Характеристика	BUILT-IN BIAS RESISTOR	BUILT-IN BIAS RESISTOR	BUILT-IN BIAS RESISTOR
Код ТН ВЭД	8541.21.00.75	8541.21.00.75	8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный	50V	50V	50V
Максимальная потеря мощности	200mW	200mW	200mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	235
Моментальный ток	100mA	100mA	100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	10
Число контактов	3	3	3
Квалификационный Статус	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
Направленность	NPN	NPN	NPN
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Тип транзистора	NPN - Pre-Biased	NPN - Pre-Biased	-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	50V	50V	300mV
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	100 @ 1mA 5V	100 @ 1mA 5V	-
Ток - отсечка коллектора (макс)	500nA ICBO	500nA ICBO	-
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 1mA, 10mA	300mV @ 100μA, 1mA	-
Частота перехода	250MHz	250MHz	250MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V	50V
Частота - Переход	250MHz	250MHz	-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	5V	5V
База (R1)	1 k Ω	10 k Ω	-
Прямоходящий ток коллектора	100mA	100mA	100mA
Высота	1mm	1mm	-
Длина	2.2mm	2.2mm	-
Ширина	1.35mm	1.35mm	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Contains Lead
Основной номер части	-	DDTC114	-
Код соответствия REACH	-	-	unknown
Код JESD-30	-	-	R-PDSO-G3
Распад мощности	-	-	200mW
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)	-	-	100

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DDTC114TUA-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-70, SOT-323	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323	Для сравнения
DDTC115TUA-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SOT-323	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323	Для сравнения
DDTC115TUA-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-70, SOT-323	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323	Для сравнения
DTC113ZUAT106	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-70, SOT-323	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3	Для сравнения