Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DDTA144ECA-7-F Альтернативные части: FJV4114RMTF ,FJV4113RMTF
DDTA144ECA-7-FDiodes Incorporated
В наличии: 8697
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
21.107912 ₽
21.15 ₽
10
19.913104 ₽
199.18 ₽
100
18.785948 ₽
1,878.57 ₽
500
17.722582 ₽
8,861.26 ₽
1000
16.719478 ₽
16,719.51 ₽
Цена за единицу: 21.107912 ₽
Итоговая цена: 21.15 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 | Transistors Switching - Resistor Biased 50/100mA/4.7K 47K | Transistors Switching - Resistor Biased 50/100mA/2.2K 47K |
Срок поставки от производителя | 19 Weeks | 14 Weeks | 2 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Вес | 7.994566mg | 30mg | 30mg |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 68 | 68 | 68 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2008 | 2015 | 2013 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Obsolete | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10 | - |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | 8541.21.00.95 | 8541.21.00.95 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -50V | -50V | -50V |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 200mW | 200mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Моментальный ток | -100mA | -100mA | -100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Основной номер части | DDTA144 | FJV4114 | FJV4113 |
Число контактов | 3 | - | - |
Квалификационный Статус | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
Направленность | PNP | PNP | PNP |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Тип транзистора | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 50V | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 68 @ 5mA 5V | 68 @ 5mA 5V | 68 @ 5mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 100nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA | 300mV @ 500μA, 10mA | 300mV @ 500μA, 10mA |
Частота перехода | 250MHz | 200MHz | 200MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | 200MHz | 200MHz |
База (R1) | 47 k Ω | 4.7 k Ω | 2.2 k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | -100mA | -100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 47 k Ω | 47 k Ω | 47 k Ω |
Высота | 1mm | - | 930μm |
Длина | 3.05mm | - | 2.92mm |
Ширина | 1.4mm | - | 1.3mm |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) |
Распад мощности | - | 200mW | 200mW |
Применение транзистора | - | SWITCHING | SWITCHING |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | - | 50V | -50V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - | 10V | -10V |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FJV4114RMTF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Transistors Switching - Resistor Biased 50/100mA/4.7K 47K | Для сравнения |
| FJV4113RMTF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Transistors Switching - Resistor Biased 50/100mA/2.2K 47K | Для сравнения |
 | DDTA143FCA-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 4.7K 22K | Для сравнения |
 | DDTA114YCA-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SOT-23-3 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 | Для сравнения |