DDTA114EUA-7-FDiodes Incorporated
В наличии: 9733
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
1.563874 ₽
1.51 ₽
10
1.475357 ₽
14.70 ₽
100
1.391841 ₽
139.15 ₽
500
1.313063 ₽
656.59 ₽
1000
1.238736 ₽
1,238.74 ₽
Цена за единицу: 1.563874 ₽
Итоговая цена: 1.51 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 |
Срок поставки от производителя | 19 Weeks | 19 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 6.010099mg | 6.010099mg |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 30 | 30 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2006 | 2007 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.12 |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | 8541.21.00.75 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -50V | -50V |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 200mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Моментальный ток | -100mA | -100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 |
Основной номер части | DDTA114 | DDTA143 |
Число контактов | 3 | 3 |
Максимальный выходной ток | 50mA | - |
Входной напряжение питания | 50V | - |
Направленность | PNP | PNP |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Тип транзистора | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 300mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 30 @ 5mA 5V | 30 @ 10mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA | 300mV @ 500μA, 10mA |
Частота перехода | 250MHz | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | 250MHz |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | -40V | - |
База (R1) | 10 k Ω | 4.7 k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 10 k Ω | 10 k Ω |
Высота | 1mm | 1mm |
Длина | 2.2mm | 2.2mm |
Ширина | 1.35mm | 1.35mm |
Корпусировка на излучение | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified |