DDTA113TCA-7-F Альтернативные части: DDTA124TCA-7-F

DDTA113TCA-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 2850

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
10.231195 ₽
10.16 ₽
10
9.652074 ₽
96.57 ₽
100
9.105755 ₽
910.58 ₽
500
8.590343 ₽
4,295.19 ₽
1000
8.104093 ₽
8,104.12 ₽

Цена за единицу: 10.231195 ₽

Итоговая цена: 10.16 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDDTA113TCA-7-F	иDDTA124TCA-7-F
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Срок поставки от производителя	19 Weeks	19 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3
Вес	7.994566mg	7.994566mg
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V
Количество элементов	1	1
Минимальная частота работы в герцах	100	100
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2008	2008
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура	150°C	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C
Дополнительная Характеристика	BUILT-IN BIAS RESISTOR	BUILT-IN BIAS RESISTOR
Код ТН ВЭД	8541.21.00.75	8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный	-50V	-50V
Максимальная потеря мощности	200mW	200mW
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Код соответствия REACH	not_compliant	-
Моментальный ток	-100mA	-100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Основной номер части	DDTA113	DDTA124
Число контактов	3	3
Квалификационный Статус	Not Qualified	Not Qualified
Направленность	PNP	PNP
Конфигурация элемента	Single	Single
Тип транзистора	PNP - Pre-Biased	PNP - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	50V	50V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	100 @ 1mA 5V	100 @ 1mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	500nA ICBO	500nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 1mA, 10mA	300mV @ 500μA, 5mA
Частота перехода	250MHz	250MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V
Частота - Переход	250MHz	250MHz
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	-5V	-
База (R1)	1 k Ω	22 k Ω
Прямоходящий ток коллектора	-100mA	100mA
Высота	1mm	1mm
Длина	3.05mm	3.05mm
Ширина	1.4mm	1.4mm
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DDTA144TCA-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3	Для сравнения
FJV4110RMTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3	Для сравнения
DDTA124TCA-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3	Для сравнения
DDTA143TCA-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3	Для сравнения