DDC144EU-7-F Альтернативные части: UMB3NTN

DDC144EU-7-FDiodes Incorporated

  • DDC144EU-7-FDiodes Incorporated
  • UMB3NTNROHM Semiconductor

В наличии: 3490

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    6.466703 ₽

    6.46 ₽

  • 500

    4.754945 ₽

    2,377.47 ₽

  • 1000

    3.962431 ₽

    3,962.36 ₽

  • 2000

    3.635261 ₽

    7,270.47 ₽

  • 5000

    3.397418 ₽

    16,987.09 ₽

  • 10000

    3.160426 ₽

    31,604.26 ₽

  • 15000

    3.056525 ₽

    45,847.80 ₽

  • 50000

    3.005385 ₽

    150,269.23 ₽

Цена за единицу: 6.466703 ₽

Итоговая цена: 6.46 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
Срок поставки от производителя
19 Weeks
10 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
-
Корпус / Кейс
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
Количество контактов
6
6
Вес
6.010099mg
-
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
Количество элементов
2
2
Минимальная частота работы в герцах
100
100
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2007
2005
Код JESD-609
e3
-
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
6
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
-
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
Дополнительная Характеристика
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
BUILT-IN BIAS RESISTOR
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный
50V
-50V
Максимальная потеря мощности
200mW
150mW
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Моментальный ток
100mA
-100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
10
Основной номер части
DDC144
-
Число контактов
6
6
Максимальный выходной ток
100mA
-
Входной напряжение питания
50V
-
Направленность
NPN, PNP
PNP
Конфигурация элемента
Dual
Dual
Тип транзистора
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
50V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
68 @ 5mA 5V
-
Ток - отсечка коллектора (макс)
500nA
-
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 500μA, 10mA
-
Частота перехода
250MHz
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
Частота - Переход
250MHz
-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
-
База (R1)
47k Ω
-
Прямоходящий ток коллектора
100mA
-
Резистор - Эмиттер-База (R2)
47k Ω
-
Высота
1mm
-
Длина
2.2mm
-
Ширина
1.35mm
-
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Распад мощности
-
150mW
Применение транзистора
-
SWITCHING
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)
-
100
Максимальное напряжение на выходе
-
0.3 V
REACH SVHC
-
No SVHC