Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DDC123JH-7 Альтернативные части: RN1965FE(TE85L,F)
DDC123JH-7Diodes Incorporated
В наличии: 5980
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
8.097761 ₽
8.10 ₽
500
5.954258 ₽
2,977.20 ₽
1000
4.961896 ₽
4,961.95 ₽
2000
4.552212 ₽
9,104.40 ₽
5000
4.254396 ₽
21,271.98 ₽
10000
3.957541 ₽
39,575.41 ₽
15000
3.827445 ₽
57,411.68 ₽
50000
3.763448 ₽
188,172.39 ₽
Цена за единицу: 8.097761 ₽
Итоговая цена: 8.10 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563 | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V |
Срок поставки от производителя | 19 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 |
Количество контактов | 6 | - |
Вес | 3.005049mg | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 80 | 80 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
Опубликовано | 2004 | 2014 |
Код JESD-609 | e3 | - |
Безоловая кодировка | yes | - |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | - |
Код ECCN | EAR99 | - |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | - |
Максимальная рабочая температура | 150°C | - |
Минимальная температура работы | -55°C | - |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | - |
Максимальная потеря мощности | 150mW | 100mW |
Форма вывода | FLAT | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | - |
Основной номер части | DDC123 | - |
Число контактов | 6 | - |
Направленность | NPN | NPN |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Тип транзистора | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 300mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 80 @ 10mA 5V | 80 @ 10mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA | 300mV @ 250μA, 5mA |
Частота перехода | 250MHz | - |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | 250MHz |
База (R1) | 2.2k Ω | 2.2k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 47k Ω | 47k Ω |
Высота | 600μm | - |
Длина | 1.6mm | - |
Ширина | 1.2mm | - |
Корпусировка на излучение | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Код соответствия REACH | - | unknown |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - | 5V |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | RN1965FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SOT-563, SOT-666 | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V | Для сравнения |
| RN1966FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SOT-563, SOT-666 | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V | Для сравнения |
 | DCX123JH-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SOT-563, SOT-666 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | Для сравнения |
| RN1964FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SOT-563, SOT-666 | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V | Для сравнения |