DDC114YU-7-FDiodes Incorporated
В наличии: 2
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
4.823077 ₽
4.81 ₽
10
4.550069 ₽
45.47 ₽
100
4.292527 ₽
429.26 ₽
500
4.049547 ₽
2,024.73 ₽
1000
3.820330 ₽
3,820.33 ₽
Цена за единицу: 4.823077 ₽
Итоговая цена: 4.81 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 |
Срок поставки от производителя | 19 Weeks | 19 Weeks |
Корпус / Кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Количество контактов | 6 | 6 |
Вес | 6.010099mg | 6.010099mg |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Минимальная частота работы в герцах | 100 | 100 |
Количество элементов | 2 | 2 |
Опубликовано | 2013 | 2007 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | - |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7 | BUILT IN BIAS RESISTOR |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | 8541.21.00.75 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 50V | 50V |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 200mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Моментальный ток | 100mA | 100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 |
Основной номер части | DDC114 | DDC143 |
Число контактов | 6 | 6 |
Максимальный выходной ток | 100mA | - |
Входной напряжение питания | 50V | - |
Направленность | NPN, PNP | NPN, PNP |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Тип транзистора | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 68 @ 10mA 5V | 100 @ 1mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | - |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA | 300mV @ 250μA, 2.5mA |
Частота перехода | 250MHz | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | 250MHz |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 5V |
База (R1) | 10k Ω | 4.7k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 47k Ω | - |
Высота | 1mm | 1mm |
Длина | 2.2mm | 2.2mm |
Ширина | 1.35mm | 1.35mm |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Корпусировка на излучение | No | No |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Покрытие контактов | - | Tin |