DDC114EU-7-F Альтернативные части: UMD6NTR ,UMH3NTN

DDC114EU-7-FDiodes Incorporated

  • DDC114EU-7-FDiodes Incorporated
  • UMD6NTRROHM Semiconductor
  • UMH3NTNROHM Semiconductor

В наличии: 242

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    4.670467 ₽

    4.67 ₽

  • 10

    4.406099 ₽

    44.09 ₽

  • 100

    4.156703 ₽

    415.66 ₽

  • 500

    3.921415 ₽

    1,960.71 ₽

  • 1000

    3.699451 ₽

    3,699.45 ₽

Цена за единицу: 4.670467 ₽

Итоговая цена: 4.67 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Срок поставки от производителя
12 Weeks
13 Weeks
13 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов
6
6
6
Вес
6.010099mg
-
-
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
2
2
2
Минимальная частота работы в герцах
100
100
100
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2007
2004
2004
Код JESD-609
e3
e2
e2
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
6
6
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
TIN COPPER
Tin/Copper (Sn/Cu)
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
-55°C
Дополнительная Характеристика
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
BUILT-IN BIAS RESISTOR
DIGITAL
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
8541.21.00.75
8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный
50V
-
50V
Максимальная потеря мощности
200mW
150mW
150mW
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
260
Моментальный ток
100mA
100mA
100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
10
10
Число контактов
6
6
6
Максимальный выходной ток
100mA
100mA
100mA
Входной напряжение питания
50V
50V
50V
Направленность
NPN
NPN, PNP
NPN
Конфигурация элемента
Dual
Dual
Dual
Тип транзистора
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
50V
50V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
30 @ 5mA 5V
100 @ 1mA 5V
100 @ 1mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
500nA
-
-
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 500μA, 10mA
300mV @ 250μA, 5mA
300mV @ 250μA, 5mA
Частота перехода
250MHz
250MHz
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
50V
Частота - Переход
250MHz
250MHz
250MHz
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
5V
База (R1)
10k Ω
4.7k Ω
4.7k Ω
Прямоходящий ток коллектора
100mA
-
100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)
10k Ω
-
-
Высота
1mm
-
-
Длина
2.2mm
-
-
Ширина
1.35mm
-
-
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Завершение
-
SMD/SMT
-
Основной номер части
-
*MD6
*MH3
Распад мощности
-
150mW
150mW
Применение транзистора
-
SWITCHING
SWITCHING
Максимальное напряжение на выходе
-
0.3 V
0.3 V
REACH SVHC
-
No SVHC
No SVHC
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
-
50V