DDA144EU-7-F Альтернативные части: UMD9NTR

DDA144EU-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 390

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
5.209821 ₽
5.22 ₽
500
3.830701 ₽
1,915.38 ₽
1000
3.192280 ₽
3,192.31 ₽
2000
2.928723 ₽
5,857.42 ₽
5000
2.737115 ₽
13,685.58 ₽
10000
2.546195 ₽
25,461.95 ₽
15000
2.462431 ₽
36,936.54 ₽
50000
2.421264 ₽
121,063.19 ₽

Цена за единицу: 5.209821 ₽

Итоговая цена: 5.22 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDDA144EU-7-F	иUMD9NTR
Производитель:	Diodes Incorporated	ROHM Semiconductor
Описание:	TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Срок поставки от производителя	19 Weeks	13 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов	6	6
Вес	6.010099mg	-
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V
Количество элементов	2	2
Минимальная частота работы в герцах	68	68
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2007	2010
Код JESD-609	e3	e2
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Tin/Copper (Sn/Cu)
Максимальная рабочая температура	150°C	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C
Дополнительная Характеристика	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
Код ТН ВЭД	8541.21.00.75	8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный	-50V	-
Максимальная потеря мощности	200mW	150mW
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Код соответствия REACH	not_compliant	-
Моментальный ток	-100mA	70mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	10
Основной номер части	DDA144	*MD9
Число контактов	6	6
Квалификационный Статус	Not Qualified	-
Направленность	PNP	NPN, PNP
Конфигурация элемента	Dual	Dual
Тип транзистора	2 PNP - Pre-Biased (Dual)	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	300mV
Максимальный ток сбора	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	68 @ 5mA 5V	68 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	500nA	500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 500μA, 10mA	300mV @ 250μA, 5mA
Частота перехода	250MHz	250MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V
Частота - Переход	250MHz	250MHz
База (R1)	47k Ω	10k Ω
Прямоходящий ток коллектора	-500nA	70mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)	47k Ω	47k Ω
Высота	1mm	900μm
Длина	2.2mm	2.1mm
Ширина	1.35mm	1.35mm
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Максимальный выходной ток	-	100mA
Входной напряжение питания	-	50V
Распад мощности	-	150mW
Применение транзистора	-	SWITCHING
REACH SVHC	-	No SVHC
Корпусировка на излучение	-	No

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
UMD9NTR	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6	Для сравнения
DCX144EU-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R	Для сравнения
UMD12NTR	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6	Для сравнения
UMB2NTN	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6	Для сравнения