DDA124EU-7-FDiodes Incorporated
В наличии: 2849
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
5.209821 ₽
5.22 ₽
500
3.830701 ₽
1,915.38 ₽
1000
3.192280 ₽
3,192.31 ₽
2000
2.928723 ₽
5,857.42 ₽
5000
2.737115 ₽
13,685.58 ₽
10000
2.546195 ₽
25,461.95 ₽
15000
2.462431 ₽
36,936.54 ₽
50000
2.421264 ₽
121,063.19 ₽
Цена за единицу: 5.209821 ₽
Итоговая цена: 5.22 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 |
Срок поставки от производителя | 15 Weeks | 13 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Количество контактов | 6 | 6 |
Вес | 6.010099mg | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 56 | 56 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2007 | 2008 |
Код JESD-609 | e3 | - |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | - |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | 8541.21.00.75 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -50V | - |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 150mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Код соответствия REACH | not_compliant | - |
Моментальный ток | -100mA | 30mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 10 |
Основной номер части | DDA124 | *MD2 |
Число контактов | 6 | 6 |
Квалификационный Статус | Not Qualified | - |
Направленность | PNP | NPN, PNP |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Тип транзистора | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 300mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 56 @ 5mA 5V | 56 @ 5mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA | 300mV @ 500μA, 10mA |
Частота перехода | 250MHz | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | 250MHz |
База (R1) | 22k Ω | 22k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 30mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 22k Ω | 22k Ω |
Высота | 1mm | - |
Длина | 2.2mm | - |
Ширина | 1.35mm | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Покрытие контактов | - | Copper, Tin |
Максимальный выходной ток | - | 100mA |
Входной напряжение питания | - | 50V |
Распад мощности | - | 150mW |
Применение транзистора | - | SWITCHING |
Максимальное напряжение на выходе | - | 0.3 V |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Корпусировка на излучение | - | No |