DCX144EU-7-F Альтернативные части: UMD12NTR

DCX144EU-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 6000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
5.881429 ₽
5.91 ₽
500
4.324629 ₽
2,162.36 ₽
1000
3.603791 ₽
3,603.85 ₽
2000
3.306264 ₽
6,612.50 ₽
5000
3.089904 ₽
15,449.45 ₽
10000
2.874423 ₽
28,744.23 ₽
15000
2.779918 ₽
41,698.76 ₽
50000
2.733379 ₽
136,668.96 ₽

Цена за единицу: 5.881429 ₽

Итоговая цена: 5.91 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDCX144EU-7-F	иUMD12NTR
Производитель:	Diodes Incorporated	ROHM Semiconductor
Описание:	Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Срок поставки от производителя	19 Weeks	13 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов	6	6
Вес	6.010099mg	-
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V
Количество элементов	2	2
Минимальная частота работы в герцах	68	68
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2006	2004
Код JESD-609	e3	-
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	-
Максимальная рабочая температура	150°C	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C
Дополнительная Характеристика	BUILT IN RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Ток постоянного напряжения - номинальный	50V	-
Максимальная потеря мощности	200mW	150mW
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Моментальный ток	100mA	30mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	10
Число контактов	6	6
Квалификационный Статус	Not Qualified	-
Направленность	NPN, PNP	NPN, PNP
Каналов количество	2	-
Конфигурация элемента	Dual	Dual
Тип транзистора	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	50V	300mV
Максимальный ток сбора	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	68 @ 5mA 5V	68 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	500nA	500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 500μA, 10mA	300mV @ 500μA, 10mA
Частота перехода	250MHz	250MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V
Частота - Переход	250MHz	250MHz
База (R1)	47k Ω	47k Ω
Прямоходящий ток коллектора	100mA	-
Резистор - Эмиттер-База (R2)	47k Ω	47k Ω
Высота	1mm	-
Длина	2.2mm	-
Ширина	1.35mm	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Код ТН ВЭД	-	8541.21.00.75
Основной номер части	-	MD12
Максимальный выходной ток	-	100mA
Входной напряжение питания	-	50V
Напряжение	-	50V
Текущий	-	1A
Распад мощности	-	150mW
Применение транзистора	-	SWITCHING
REACH SVHC	-	No SVHC
Корпусировка на излучение	-	No

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
UMH9NTN	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6	Для сравнения
UMD12NTR	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6	Для сравнения
DDA144EU-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363	Для сравнения
UMB2NTN	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6	Для сравнения