DCX144EH-7 Альтернативные части: RN4902FE,LF(CT ,DDC144EH-7

DCX144EH-7Diodes Incorporated

В наличии: 2968

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
11.085495 ₽
11.13 ₽
10
10.458008 ₽
104.53 ₽
100
9.866030 ₽
986.54 ₽
500
9.307624 ₽
4,653.85 ₽
1000
8.780797 ₽
8,780.77 ₽

Цена за единицу: 11.085495 ₽

Итоговая цена: 11.13 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDCX144EH-7	иRN4902FE,LF(CT	иDDC144EH-7
Производитель:	Diodes Incorporated	Toshiba Semiconductor and Storage	Diodes Incorporated
Описание:	Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R	Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor	Bipolar Transistors - Pre-Biased 150MW 47K
Срок поставки от производителя	19 Weeks	12 Weeks	14 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SOT-563, SOT-666	SOT-563, SOT-666	SOT-563, SOT-666
Количество контактов	6	-	6
Вес	3.005049mg	3.005049mg	3.005049mg
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	50V
Количество элементов	2	-	2
Минимальная частота работы в герцах	68	50	68
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2007	2014	2007
Код JESD-609	e3	-	e3
Безоловая кодировка	yes	-	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	-	6
Код ECCN	EAR99	-	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	-	Matte Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура	150°C	-	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-	-55°C
Дополнительная Характеристика	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1	-	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1
Максимальная потеря мощности	150mW	100mW	150mW
Форма вывода	FLAT	-	FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	-	40
Основной номер части	DCX144	-	DDC144
Число контактов	6	-	6
Направленность	NPN, PNP	NPN, PNP	NPN
Каналов количество	2	2	-
Конфигурация элемента	Dual	-	Dual
Тип транзистора	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	300mV	300mV
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	68 @ 5mA 5V	50 @ 10mA 5V	68 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	500nA	500nA	500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 500μA, 10mA	300mV @ 250μA, 5mA	300mV @ 500μA, 10mA
Частота перехода	250MHz	-	250MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V	50V
Частота - Переход	250MHz	250MHz 200MHz	250MHz
База (R1)	47k Ω	10kOhms	47k Ω
Прямоходящий ток коллектора	100mA	100mA	100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)	47k Ω	10kOhms	47k Ω
Высота	600μm	-	600μm
Длина	1.6mm	-	1.6mm
Ширина	1.2mm	-	1.2mm
Корпусировка на излучение	No	-	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant
Поставщик упаковки устройства	-	ES6	-
Максимальный коллекторный ток (Ic)	-	100mA	-
Мощность - Макс	-	100mW	-
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)	-	50V	-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	-	10V	-
Код ТН ВЭД	-	-	8541.21.00.75

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DDC114YH-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563	Для сравнения
RN4902FE,LF(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor	Для сравнения
DDC144EH-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	Bipolar Transistors - Pre-Biased 150MW 47K	Для сравнения
DCX114YH-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563	Для сравнения