DCX144EH-7 Альтернативные части: DCX114YH-7 ,DDC114YH-7

DCX144EH-7Diodes Incorporated

В наличии: 2968

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
11.085495 ₽
11.13 ₽
10
10.458008 ₽
104.53 ₽
100
9.866030 ₽
986.54 ₽
500
9.307624 ₽
4,653.85 ₽
1000
8.780797 ₽
8,780.77 ₽

Цена за единицу: 11.085495 ₽

Итоговая цена: 11.13 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDCX144EH-7	иDCX114YH-7	иDDC114YH-7
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
Срок поставки от производителя	19 Weeks	19 Weeks	19 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SOT-563, SOT-666	SOT-563, SOT-666	SOT-563, SOT-666
Количество контактов	6	6	6
Вес	3.005049mg	3.005049mg	3.005049mg
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	50V
Количество элементов	2	2	2
Минимальная частота работы в герцах	68	68	68
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2007	2007	2007
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6	6
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура	150°C	150°C	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C	-55°C
Дополнительная Характеристика	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 4.7	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 4.7
Максимальная потеря мощности	150mW	150mW	150mW
Форма вывода	FLAT	FLAT	FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	40
Основной номер части	DCX144	DCX114	DDC114
Число контактов	6	6	6
Направленность	NPN, PNP	NPN, PNP	NPN
Каналов количество	2	2	-
Конфигурация элемента	Dual	Dual	Dual
Тип транзистора	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	300mV	300mV
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	68 @ 5mA 5V	68 @ 10mA 5V	68 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	500nA	500nA	500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 500μA, 10mA	300mV @ 250μA, 5mA	300mV @ 250μA, 5mA
Частота перехода	250MHz	250MHz	250MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V	-
Частота - Переход	250MHz	250MHz	250MHz
База (R1)	47k Ω	10k Ω	10k Ω
Прямоходящий ток коллектора	100mA	100mA	100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)	47k Ω	47k Ω	47k Ω
Высота	600μm	600μm	600μm
Длина	1.6mm	1.6mm	1.6mm
Ширина	1.2mm	1.2mm	1.2mm
Корпусировка на излучение	No	-	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Код соответствия REACH	-	not_compliant	-
Квалификационный Статус	-	Not Qualified	-
Код ТН ВЭД	-	-	8541.21.00.75
Максимальный выходной ток	-	-	70mA
Входной напряжение питания	-	-	50V
Без свинца	-	-	Lead Free

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DDC114YH-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563	Для сравнения
RN4902FE,LF(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor	Для сравнения
DDC144EH-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	Bipolar Transistors - Pre-Biased 150MW 47K	Для сравнения
DCX114YH-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563	Для сравнения