DCX114EU-7-F Альтернативные части: UMH3NTN

DCX114EU-7-FDiodes Incorporated

  • DCX114EU-7-FDiodes Incorporated
  • UMH3NTNROHM Semiconductor

В наличии: 12

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    3.624863 ₽

    3.57 ₽

  • 10

    3.419684 ₽

    34.20 ₽

  • 100

    3.226113 ₽

    322.66 ₽

  • 500

    3.043503 ₽

    1,521.70 ₽

  • 1000

    2.871236 ₽

    2,871.29 ₽

Цена за единицу: 3.624863 ₽

Итоговая цена: 3.57 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Срок поставки от производителя
19 Weeks
13 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов
6
6
Вес
6.010099mg
-
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
Количество элементов
2
2
Минимальная частота работы в герцах
100
100
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2012
2004
Код JESD-609
e3
e2
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
6
Код ECCN
EAR99
EAR99
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
Дополнительная Характеристика
BUILT IN RESISTOR RATIO IS 1
DIGITAL
Ток постоянного напряжения - номинальный
50V
50V
Максимальная потеря мощности
200mW
150mW
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Моментальный ток
100mA
100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
10
Основной номер части
DCX114
*MH3
Число контактов
6
6
Направленность
NPN, PNP
NPN
Каналов количество
2
-
Конфигурация элемента
Dual
Dual
Тип транзистора
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
50V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
30 @ 5mA 5V
100 @ 1mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
500nA
-
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 500μA, 10mA
300mV @ 250μA, 5mA
Частота перехода
250MHz
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
Частота - Переход
250MHz
250MHz
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
База (R1)
10k Ω
4.7k Ω
Прямоходящий ток коллектора
100mA
100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)
10k Ω
-
Высота
1mm
-
Длина
2.2mm
-
Ширина
1.35mm
-
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Конечная обработка контакта
-
Tin/Copper (Sn/Cu)
Код ТН ВЭД
-
8541.21.00.75
Максимальный выходной ток
-
100mA
Входной напряжение питания
-
50V
Распад мощности
-
150mW
Применение транзистора
-
SWITCHING
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
50V
Максимальное напряжение на выходе
-
0.3 V
REACH SVHC
-
No SVHC