CPH6102-TL-E Альтернативные части: KSA812YMTF ,2SA1900T100Q

CPH6102-TL-EON Semiconductor

  • CPH6102-TL-EON Semiconductor
  • KSA812YMTFON Semiconductor
  • 2SA1900T100QROHM Semiconductor

В наличии: 8727

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    43.175275 ₽

    43.13 ₽

  • 10

    40.731360 ₽

    407.28 ₽

  • 100

    38.425797 ₽

    3,842.58 ₽

  • 500

    36.250824 ₽

    18,125.41 ₽

  • 1000

    34.198846 ₽

    34,198.90 ₽

Цена за единицу: 43.175275 ₽

Итоговая цена: 43.13 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PNP 50V 1A CPH6
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Transistor
TRANS PNP 50V 1A SO-89
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
-
Срок поставки от производителя
4 Weeks
-
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-243AA
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2004
2001
1998
Код JESD-609
e6
e3
e2
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Tin (Sn)
TIN COPPER
Максимальная потеря мощности
1.3W
150mW
2W
Код соответствия REACH
not_compliant
-
-
Конфигурация
Single
-
-
Мощность - Макс
1.3W
-
2W
Полярность/Тип канала
PNP
PNP
PNP
Тип транзистора
PNP
PNP
PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
500mV
50V
400mV
Максимальный ток сбора
1A
100mA
1A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
200 @ 100mA 2V
135 @ 1mA 6V
120 @ 500mA 3V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
300mV @ 10mA, 100mA
400mV @ 50mA, 500mA
Частота - Переход
150MHz
-
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Количество контактов
-
3
4
Вес
-
30mg
-
Материал элемента транзистора
-
SILICON
SILICON
Количество элементов
-
1
1
Минимальная частота работы в герцах
-
90
120
Количество выводов
-
3
3
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
-50V
-50V
Положение терминала
-
DUAL
-
Форма вывода
-
GULL WING
FLAT
Моментальный ток
-
-100mA
-1A
Частота
-
180MHz
-
Основной номер части
-
KSA812
2SA1900
Конфигурация элемента
-
Single
Single
Распад мощности
-
150mW
-
Применение транзистора
-
AMPLIFIER
AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот
-
180MHz
150MHz
Частота перехода
-
180MHz
150MHz
Максимальное напряжение разрушения
-
50V
50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
-60V
-50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-
-5V
-5V
Высота
-
970μm
-
Длина
-
2.9mm
-
Ширина
-
1.3mm
-
Корпусировка на излучение
-
No
No
Покрытие контактов
-
-
Copper, Tin
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
-
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
-
10
Код JESD-30
-
-
R-PSSO-F3
Сокетная связка
-
-
COLLECTOR