BSS138DW-7-F Альтернативные части: DMN5L06DWK-7

BSS138DW-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 1663

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
8.292308 ₽
8.24 ₽
10
7.822926 ₽
78.30 ₽
100
7.380124 ₽
738.05 ₽
500
6.962376 ₽
3,481.18 ₽
1000
6.568283 ₽
6,568.27 ₽

Цена за единицу: 8.292308 ₽

Итоговая цена: 8.24 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иBSS138DW-7-F	иDMN5L06DWK-7
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual MOSFET, N Channel, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-363, Surface Mount	MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-363
Срок поставки от производителя	15 Weeks	16 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов	6	6
Поставщик упаковки устройства	SOT-363	-
Вес	6.010099mg	6.010099mg
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	200mA	-
Количество элементов	2	2
Время отключения	20 ns	14.4 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-65°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2012	2011
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6
Сопротивление	3.5Ohm	2Ohm
Максимальная рабочая температура	150°C	-
Минимальная температура работы	-55°C	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	50V	50V
Максимальная потеря мощности	200mW	250mW
Моментальный ток	200mA	305mA
Каналов количество	2	-
Конфигурация элемента	Dual	Dual
Распад мощности	200mW	250mW
Время задержки включения	20 ns	2.1 ns
Мощность - Макс	200mW	-
Тип ТРВ	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	3.5Ohm @ 220mA, 10V	2 Ω @ 50mA, 5V
Втс(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250μA	1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	50pF @ 10V	50pF @ 25V
Напряжение стока-исток (Vdss)	50V	-
Непрерывный ток стока (ID)	200mA	305mA
Пороговое напряжение	1.2V	1V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	75V	50V
Входной ёмкости	50pF	-
Максимальная температура перехода (Тj)	150°C	150°C
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Сопротивление стока к истоку	3.5Ohm	-
Rds на макс.	3.5 Ω	-
Номинальное Vgs	1.2 V	-
Минимальная разрушающая напряжение	50V	-
Высота	1.1mm	1.1mm
Длина	2.2mm	2.2mm
Ширина	1.35mm	1.35mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Материал элемента транзистора	-	SILICON
Код JESD-609	-	e3
Безоловая кодировка	-	yes
Код ECCN	-	EAR99
Конечная обработка контакта	-	Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	-	HIGH RELIABILITY
Форма вывода	-	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	40
Основной номер части	-	DMN5L06DWK
Число контактов	-	6
Режим работы	-	ENHANCEMENT MODE
Применение транзистора	-	SWITCHING
Максимальный сливовой ток (ID)	-	0.305A
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Обратная ёмкость-Макс (Crss)	-	5 pF
Корпусировка на излучение	-	No

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
NMSD200B01-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363	Для сравнения
DMN5L06DWK-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-363	Для сравнения
BSS138DWQ-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MOSFET 2NCH 50V 200MA SOT363	Для сравнения