BSR17A Альтернативные части: MMBT2222A

BSR17AON Semiconductor

В наличии: 330

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
20.340357 ₽
20.33 ₽
10
19.189011 ₽
191.90 ₽
100
18.102816 ₽
1,810.30 ₽
500
17.078118 ₽
8,539.01 ₽
1000
16.111484 ₽
16,111.54 ₽

Цена за единицу: 20.340357 ₽

Итоговая цена: 20.33 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иBSR17A	иMMBT2222A
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23	TRANS NPN 40V 1A SOT-23
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)	LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя	39 Weeks	142 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3
Вес	30mg	59.987591mg
Материал элемента транзистора	SILICON	-
Диэлектрический пробой напряжение	40V	40V
Количество элементов	1	1
Время отключения	250 ns	-
Минимальная частота работы в герцах	100	100
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2004	2016
Код JESD-609	e3	-
Безоловая кодировка	yes	-
Состояние изделия	Active	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	-
Код ECCN	EAR99	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	40V	40V
Максимальная потеря мощности	350mW	300mW
Положение терминала	DUAL	-
Форма вывода	GULL WING	-
Моментальный ток	200mA	500mA
Частота	300MHz	300MHz
Основной номер части	BSR17	MMBT2222
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	350mW	350mW
Время задержки включения	70 ns	-
Применение транзистора	SWITCHING	-
Продуктивность полосы частот	300MHz	300MHz
Полярность/Тип канала	NPN	-
Тип транзистора	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	40V	40V
Максимальный ток сбора	200mA	600mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	100 @ 10mA 1V	100 @ 150mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)	5μA ICBO	10nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 5mA, 50mA	1V @ 50mA, 500mA
Частота перехода	300MHz	-
Максимальное напряжение разрушения	40V	40V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	60V	75V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6V	6V
Высота	930μm	1mm
Длина	2.92mm	3.05mm
Ширина	1.3mm	1.4mm
REACH SVHC	No SVHC	Unknown
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Поставщик упаковки устройства	-	SOT-23-3
Максимальный коллекторный ток (Ic)	-	1A
Завершение	-	SMD/SMT
Максимальная рабочая температура	-	150°C
Минимальная температура работы	-	-55°C
Направленность	-	NPN
Напряжение	-	40V
Текущий	-	6A
Мощность - Макс	-	350mW
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)	-	40V
Максимальная частота	-	300MHz
Частота - Переход	-	300MHz

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
MMBT3904	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23	Для сравнения
MMBT2222A	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 40V 1A SOT-23	Для сравнения
KST3904MTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения
MMBT3904-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT NPN 40V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения