Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
BSO033N03MSGXUMA1 Альтернативные части: IRF7862TRPBF
BSO033N03MSGXUMA1Infineon Technologies
В наличии: 5
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
92.578297 ₽
92.58 ₽
10
87.338022 ₽
873.35 ₽
100
82.394354 ₽
8,239.42 ₽
500
77.730522 ₽
38,865.25 ₽
1000
73.330687 ₽
73,330.63 ₽
Цена за единицу: 92.578297 ₽
Итоговая цена: 92.58 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin DSO | MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC |
Срок поставки от производителя | 18 Weeks | 12 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 17A Ta | 21A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 1.56W Ta | 2.5W Ta |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | OptiMOS™ | HEXFET® |
Опубликовано | 2009 | 2007 |
Код JESD-609 | e3 | - |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 3 (168 Hours) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Конфигурация | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 1.56W | 2.5W |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 3.3m Ω @ 22A, 10V | 3.7m Ω @ 20A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2V @ 250μA | 2.35V @ 100μA |
Без галогенов | Halogen Free | - |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 9600pF @ 15V | 4090pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 124nC @ 10V | 45nC @ 4.5V |
Время подъема | 12.8ns | 19ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V |
Непрерывный ток стока (ID) | 17A | 21A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Максимальное напряжение питания с двумя источниками | 30V | - |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.0033Ohm | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Время отключения | - | 18 ns |
Сопротивление | - | 3.3MOhm |
Время задержки включения | - | 16 ns |
Время падения (тип) | - | 11 ns |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | 30V |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | 350 mJ |
Номинальное Vgs | - | 2.35 V |
Высота | - | 1.4986mm |
Длина | - | 4.9784mm |
Ширина | - | 3.9878mm |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF7834TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF7862TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF8734TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF8113GPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO | Для сравнения |