BFU630F,115 Альтернативные части: 2SC4774T106S

BFU630F,115NXP USA Inc.

  • BFU630F,115NXP USA Inc.
  • 2SC4774T106SROHM Semiconductor

В наличии: 12820

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    54.679093 ₽

    54.67 ₽

  • 10

    51.584093 ₽

    515.80 ₽

  • 100

    48.664190 ₽

    4,866.48 ₽

  • 500

    45.909615 ₽

    22,954.81 ₽

  • 1000

    43.310948 ₽

    43,310.99 ₽

Цена за единицу: 54.679093 ₽

Итоговая цена: 54.67 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANSISTOR NPN SOT343F
RF TRANS NPN 6V 800MHZ UMT3
Срок поставки от производителя
13 Weeks
13 Weeks
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-343F
SC-70, SOT-323
Максимальный коллекторный ток (Ic)
30mA
-
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2010
2009
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Основной номер части
BFU630
2SC4774
Число контактов
4
3
Мощность - Макс
200mW
-
Тип транзистора
NPN
NPN
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
90 @ 5mA 2V
180 @ 5mA 5V
Увеличение
13dB ~ 22.5dB
-
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
5.5V
-
Частота - Переход
21GHz
-
Дата проверки статуса URL-адреса источника
2013-06-14 00:00:00
-
Шумовая фигура (дБ тип @ ф)
0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Покрытие контактов
-
Copper, Silver, Tin
Монтаж
-
Surface Mount
Количество контактов
-
3
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
-
6V
Количество элементов
-
1
Минимальная частота работы в герцах
-
180
Код JESD-609
-
e1
Безоловая кодировка
-
yes
Количество выводов
-
3
Завершение
-
SMD/SMT
Код ECCN
-
EAR99
Конечная обработка контакта
-
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Код ТН ВЭД
-
8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
6V
Максимальная потеря мощности
-
200mW
Положение терминала
-
DUAL
Форма вывода
-
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
Моментальный ток
-
50mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
10
Конфигурация элемента
-
Single
Распад мощности
-
200mW
Применение транзистора
-
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
-
800MHz
Полярность/Тип канала
-
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
-
6V
Максимальный ток сбора
-
50mA
Частота перехода
-
800MHz
Максимальное напряжение разрушения
-
6V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
12V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-
3V
Прямоходящий ток коллектора
-
50mA
Частотная полоса наивысшего режима
-
ULTRA HIGH FREQUENCY B
Сопротивление базы-эмиттора макс
-
1.7pF
REACH SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
-
No
Без свинца
-
Lead Free