BFU550WX Альтернативные части: 2SC5277A-2-TL-E ,2SC4083T106N

BFU550WXNXP USA Inc.

  • BFU550WXNXP USA Inc.
  • 2SC5277A-2-TL-EON Semiconductor
  • 2SC4083T106NROHM Semiconductor

В наличии: 13667

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    32.873077 ₽

    32.83 ₽

  • 10

    31.012335 ₽

    310.16 ₽

  • 100

    29.256923 ₽

    2,925.69 ₽

  • 500

    27.600865 ₽

    13,800.41 ₽

  • 1000

    26.038558 ₽

    26,038.60 ₽

Цена за единицу: 32.873077 ₽

Итоговая цена: 32.83 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans RF BJT NPN 16V 0.08A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT NPN 10V 0.03A 3-Pin(2+Tab) SMCP T/R
TRANS NPN 11V 0.05A SOT-323
Срок поставки от производителя
13 Weeks
-
13 Weeks
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-70, SOT-323
SC-75, SOT-416
SC-70, SOT-323
Поверхностный монтаж
YES
-
-
Материал элемента транзистора
SILICON
-
SILICON
Максимальный коллекторный ток (Ic)
50mA
-
-
Количество элементов
1
-
1
Рабочая температура
-40°C~150°C TJ
-
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Серия
Automotive, AEC-Q101
-
-
Опубликовано
2011
2013
2004
Состояние изделия
Active
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
-
3
Дополнительная Характеристика
LOW NOISE
-
-
Положение терминала
DUAL
-
DUAL
Форма вывода
GULL WING
-
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
-
10
Основной номер части
BFU550
-
2SC4083
Число контактов
3
3
3
Нормативная Марка
AEC-Q101; IEC-60134
-
-
Код JESD-30
R-PDSO-G3
-
-
Конфигурация
SINGLE
-
-
Мощность - Макс
450mW
-
-
Применение транзистора
AMPLIFIER
-
AMPLIFIER
Полярность/Тип канала
NPN
-
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
NPN
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
60 @ 15mA 8V
90 @ 10mA 5V
56 @ 5mA 10V
Увеличение
18dB
10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz
-
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
12V
-
-
Частота перехода
11000MHz
-
3200MHz
Частота - Переход
11GHz
8GHz
-
Частотная полоса наивысшего режима
L B
-
S B
Шумовая фигура (дБ тип @ ф)
0.6dB @ 900MHz
1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Состояние жизненного цикла
-
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
-
Монтаж
-
Surface Mount
Surface Mount
Количество контактов
-
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
-
10V
11V
Минимальная частота работы в герцах
-
60
56
Код JESD-609
-
e6
e1
Безоловая кодировка
-
yes
yes
Код ECCN
-
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
-
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Максимальная рабочая температура
-
150°C
-
Минимальная температура работы
-
-55°C
-
Максимальная потеря мощности
-
100mW
200mW
Конфигурация элемента
-
Single
Single
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
-
10V
11V
Максимальный ток сбора
-
30mA
50mA
Максимальная частота
-
7GHz
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
20V
20V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-
1.5V
3V
Высота
-
750μm
-
Длина
-
1.6mm
-
Ширина
-
800μm
-
Без свинца
-
Lead Free
Lead Free
Покрытие контактов
-
-
Copper, Silver, Tin
Код ТН ВЭД
-
-
8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
-
11V
Моментальный ток
-
-
50mA
Распад мощности
-
-
200mW
Продуктивность полосы частот
-
-
3.2 GHz
Ток - отсечка коллектора (макс)
-
-
500nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
-
-
500mV @ 5mA, 10mA
Максимальное напряжение разрушения
-
-
11V
Прямоходящий ток коллектора
-
-
50mA
Максимальное напряжение на выходе
-
-
0.5 V
Сопротивление базы-эмиттора макс
-
-
1.5pF
Корпусировка на излучение
-
-
No