BFU550WXNXP USA Inc.
В наличии: 13667
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
32.873077 ₽
32.83 ₽
10
31.012335 ₽
310.16 ₽
100
29.256923 ₽
2,925.69 ₽
500
27.600865 ₽
13,800.41 ₽
1000
26.038558 ₽
26,038.60 ₽
Цена за единицу: 32.873077 ₽
Итоговая цена: 32.83 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A Automotive 3-Pin SC-70 T/R | Trans GP BJT NPN 10V 0.03A 3-Pin(2+Tab) SMCP T/R | TRANS NPN 11V 0.05A SOT-323 |
Срок поставки от производителя | 13 Weeks | - | 13 Weeks |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-70, SOT-323 | SC-75, SOT-416 | SC-70, SOT-323 |
Поверхностный монтаж | YES | - | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | - | SILICON |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 50mA | - | - |
Количество элементов | 1 | - | 1 |
Рабочая температура | -40°C~150°C TJ | - | 150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | Automotive, AEC-Q101 | - | - |
Опубликовано | 2011 | 2013 | 2004 |
Состояние изделия | Active | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | - | 3 |
Дополнительная Характеристика | LOW NOISE | - | - |
Положение терминала | DUAL | - | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | - | 10 |
Основной номер части | BFU550 | - | 2SC4083 |
Число контактов | 3 | 3 | 3 |
Нормативная Марка | AEC-Q101; IEC-60134 | - | - |
Код JESD-30 | R-PDSO-G3 | - | - |
Конфигурация | SINGLE | - | - |
Мощность - Макс | 450mW | - | - |
Применение транзистора | AMPLIFIER | - | AMPLIFIER |
Полярность/Тип канала | NPN | - | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN | NPN |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 60 @ 15mA 8V | 90 @ 10mA 5V | 56 @ 5mA 10V |
Увеличение | 18dB | 10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz | - |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 12V | - | - |
Частота перехода | 11000MHz | - | 3200MHz |
Частота - Переход | 11GHz | 8GHz | - |
Частотная полоса наивысшего режима | L B | - | S B |
Шумовая фигура (дБ тип @ ф) | 0.6dB @ 900MHz | 1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Состояние жизненного цикла | - | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) | - |
Монтаж | - | Surface Mount | Surface Mount |
Количество контактов | - | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | - | 10V | 11V |
Минимальная частота работы в герцах | - | 60 | 56 |
Код JESD-609 | - | e6 | e1 |
Безоловая кодировка | - | yes | yes |
Код ECCN | - | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C | - |
Минимальная температура работы | - | -55°C | - |
Максимальная потеря мощности | - | 100mW | 200mW |
Конфигурация элемента | - | Single | Single |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | - | 10V | 11V |
Максимальный ток сбора | - | 30mA | 50mA |
Максимальная частота | - | 7GHz | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | - | 20V | 20V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - | 1.5V | 3V |
Высота | - | 750μm | - |
Длина | - | 1.6mm | - |
Ширина | - | 800μm | - |
Без свинца | - | Lead Free | Lead Free |
Покрытие контактов | - | - | Copper, Silver, Tin |
Код ТН ВЭД | - | - | 8541.21.00.75 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | - | 11V |
Моментальный ток | - | - | 50mA |
Распад мощности | - | - | 200mW |
Продуктивность полосы частот | - | - | 3.2 GHz |
Ток - отсечка коллектора (макс) | - | - | 500nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | - | - | 500mV @ 5mA, 10mA |
Максимальное напряжение разрушения | - | - | 11V |
Прямоходящий ток коллектора | - | - | 50mA |
Максимальное напряжение на выходе | - | - | 0.5 V |
Сопротивление базы-эмиттора макс | - | - | 1.5pF |
Корпусировка на излучение | - | - | No |