BFU550WX Альтернативные части: 2SC3838KT146N ,2SC4082T106P

BFU550WXNXP USA Inc.

  • BFU550WXNXP USA Inc.
  • 2SC3838KT146NROHM Semiconductor
  • 2SC4082T106PROHM Semiconductor

В наличии: 13667

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    32.873077 ₽

    32.83 ₽

  • 10

    31.012335 ₽

    310.16 ₽

  • 100

    29.256923 ₽

    2,925.69 ₽

  • 500

    27.600865 ₽

    13,800.41 ₽

  • 1000

    26.038558 ₽

    26,038.60 ₽

Цена за единицу: 32.873077 ₽

Итоговая цена: 32.83 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans RF BJT NPN 16V 0.08A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
TRANS NPN 11V 0.05A SOT-346
TRANS NPN 20V 0.05A SOT-323
Срок поставки от производителя
13 Weeks
13 Weeks
13 Weeks
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-70, SOT-323
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-70, SOT-323
Поверхностный монтаж
YES
-
-
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Максимальный коллекторный ток (Ic)
50mA
-
-
Количество элементов
1
1
1
Рабочая температура
-40°C~150°C TJ
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Серия
Automotive, AEC-Q101
-
-
Опубликовано
2011
2010
2007
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Дополнительная Характеристика
LOW NOISE
-
-
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
10
10
Основной номер части
BFU550
2SC3838
2SC4082
Число контактов
3
3
3
Нормативная Марка
AEC-Q101; IEC-60134
-
-
Код JESD-30
R-PDSO-G3
-
-
Конфигурация
SINGLE
-
-
Мощность - Макс
450mW
-
-
Применение транзистора
AMPLIFIER
AMPLIFIER
AMPLIFIER
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
NPN
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
60 @ 15mA 8V
56 @ 5mA 10V
82 @ 10mA 10V
Увеличение
18dB
-
-
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
12V
-
-
Частота перехода
11000MHz
3200MHz
1500MHz
Частота - Переход
11GHz
-
-
Частотная полоса наивысшего режима
L B
S B
VERY HIGH FREQUENCY B
Шумовая фигура (дБ тип @ ф)
0.6dB @ 900MHz
-
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Покрытие контактов
-
Copper, Silver, Tin
Copper, Silver, Tin
Монтаж
-
Surface Mount
Surface Mount
Количество контактов
-
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
-
11V
20V
Минимальная частота работы в герцах
-
56
56
Код JESD-609
-
e1
e1
Безоловая кодировка
-
yes
yes
Код ECCN
-
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
-
TIN SILVER COPPER
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Код ТН ВЭД
-
8541.21.00.75
8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
11V
18V
Максимальная потеря мощности
-
200mW
200mW
Моментальный ток
-
50mA
50mA
Конфигурация элемента
-
Single
Single
Продуктивность полосы частот
-
3.2 GHz
1.5 GHz
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
-
11V
20V
Максимальный ток сбора
-
50mA
50mA
Ток - отсечка коллектора (макс)
-
500nA ICBO
500nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
-
500mV @ 5mA, 10mA
500mV @ 4mA, 20mA
Максимальное напряжение разрушения
-
11V
20V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
20V
30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-
3V
3V
Прямоходящий ток коллектора
-
50mA
50mA
Максимальное напряжение на выходе
-
0.5 V
-
Сопротивление базы-эмиттора макс
-
1.5pF
1.5pF
Корпусировка на излучение
-
No
No
REACH SVHC
-
No SVHC
-
Без свинца
-
Lead Free
Lead Free
Распад мощности
-
-
200mW
Максимальная частота
-
-
1.5GHz
Высота
-
-
800μm
Длина
-
-
2mm
Ширина
-
-
1.25mm