Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
BFU550R Альтернативные части: BFU550XAR
BFU550RNXP USA Inc.
В наличии: 60
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
26.550192 ₽
26.51 ₽
10
25.047349 ₽
250.41 ₽
100
23.629574 ₽
2,362.91 ₽
500
22.292047 ₽
11,146.02 ₽
1000
21.030234 ₽
21,030.22 ₽
Цена за единицу: 26.550192 ₽
Итоговая цена: 26.51 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans GP NPN 12V 0.05A 4-Pin SOT-143B T/R | Trans GP NPN 12V 0.05A 4-Pin SOT-143B T/R |
Срок поставки от производителя | 13 Weeks | 13 Weeks |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount, Gull Wing |
Корпус / Кейс | TO-253-4, TO-253AA | TO-253-4, TO-253AA |
Поставщик упаковки устройства | SOT-143B | - |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 50mA | 50mA |
Рабочая температура | -40°C~150°C TJ | -40°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 |
Опубликовано | 2011 | 2011 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Основной номер части | BFU550 | BFU550 |
Мощность - Макс | 450mW | 450mW |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 60 @ 15mA 8V | 60 @ 15mA 8V |
Увеличение | 21dB | 21.5dB |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 12V | 12V |
Частота - Переход | 11GHz | 11GHz |
Шумовая фигура (дБ тип @ ф) | 0.7dB @ 900MHz | 0.75db @ 900MHz |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Поверхностный монтаж | - | YES |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Количество элементов | - | 1 |
Количество выводов | - | 4 |
Дополнительная Характеристика | - | LOW NOISE |
Положение терминала | - | DUAL |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | NOT SPECIFIED |
Число контактов | - | 4 |
Нормативная Марка | - | AEC-Q101; IEC-60134 |
Код JESD-30 | - | R-PDSO-G4 |
Конфигурация | - | SINGLE |
Применение транзистора | - | AMPLIFIER |
Полярность/Тип канала | - | NPN |
Частота перехода | - | 11000MHz |
Частотная полоса наивысшего режима | - | L B |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BFU530R | NXP USA Inc. | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | TO-253-4, TO-253AA | RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B | Для сравнения |
| BFU550XAR | NXP USA Inc. | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | TO-253-4, TO-253AA | Trans GP NPN 12V 0.05A 4-Pin SOT-143B T/R | Для сравнения |
| BFU520R | NXP USA Inc. | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | TO-253-4, TO-253AA | RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B | Для сравнения |
| BFU530XAR | NXP USA Inc. | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | TO-253-4, TO-253AA | Trans GP NPN 12V 0.04A 4-Pin SOT-143B T/R | Для сравнения |