Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
BFU530AR Альтернативные части: PBR941,215
BFU530ARNXP USA Inc.
В наличии: 8838
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
42.350000 ₽
42.31 ₽
10
39.952830 ₽
399.59 ₽
100
37.691346 ₽
3,769.09 ₽
500
35.557871 ₽
17,778.98 ₽
1000
33.545165 ₽
33,545.19 ₽
Цена за единицу: 42.350000 ₽
Итоговая цена: 42.31 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans GP BJT NPN 16V 0.065A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R | RF TRANS NPN 10V 8GHZ TO236AB |
Срок поставки от производителя | 13 Weeks | 8 Weeks |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Поверхностный монтаж | YES | YES |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 40mA | 50mA |
Количество элементов | 1 | 1 |
Рабочая температура | -40°C~150°C TJ | 175°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | Automotive, AEC-Q101 | - |
Опубликовано | 2011 | 1998 |
Состояние изделия | Active | Not For New Designs |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Дополнительная Характеристика | LOW NOISE | LOW NOISE, HIGH RELIABILITY |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | 40 |
Основной номер части | BFU530 | PBR941 |
Число контактов | 3 | 3 |
Нормативная Марка | AEC-Q101; IEC-60134 | - |
Код JESD-30 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 |
Конфигурация | SINGLE | SINGLE |
Мощность - Макс | 450mW | 360mW |
Применение транзистора | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 60 @ 10mA 8V | 50 @ 5mA 6V |
Код JEDEC-95 | TO-236AB | - |
Увеличение | 18dB | - |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 12V | 10V |
Частота перехода | 11000MHz | 8000MHz |
Частота - Переход | 11GHz | 8GHz |
Частотная полоса наивысшего режима | L B | ULTRA HIGH FREQUENCY B |
Шумовая фигура (дБ тип @ ф) | 0.6dB @ 900MHz | 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Код JESD-609 | - | e3 |
Код ECCN | - | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) |
Код ТН ВЭД | - | 8541.21.00.75 |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified |
Максимальная потеря мощности (абс.) | - | 0.36W |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | PBR941,215 | NXP USA Inc. | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RF TRANS NPN 10V 8GHZ TO236AB | Для сравнения |
| BFU550AR | NXP USA Inc. | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB | Для сравнения |
| BFU520AR | NXP USA Inc. | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans GP NPN 12V 0.03A 3-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |
 | FMMT5179TA | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistors - BJT NPN RF | Для сравнения |