BFR93AW,135 Альтернативные части: FJX2222ATF

BFR93AW,135NXP USA Inc.

  • BFR93AW,135NXP USA Inc.
  • FJX2222ATFON Semiconductor

В наличии: 63919

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
RF Bipolar Transistors Single NPN 12V 35mA 300mW 40 5GHz
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
Срок поставки от производителя
26 Weeks
6 Weeks
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
Максимальный коллекторный ток (Ic)
35mA
-
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
1995
2010
Состояние изделия
Obsolete
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Основной номер части
BFR93
FJX2222
Число контактов
3
-
Мощность - Макс
300mW
-
Тип транзистора
NPN
NPN
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
40 @ 30mA 5V
100 @ 150mA 10V
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
12V
-
Частота - Переход
5GHz
-
Дата проверки статуса URL-адреса источника
2013-06-14 00:00:00
-
Шумовая фигура (дБ тип @ ф)
1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Состояние жизненного цикла
-
LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)
Монтаж
-
Surface Mount
Количество контактов
-
3
Вес
-
30mg
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
-
40V
Количество элементов
-
1
Минимальная частота работы в герцах
-
100
Код JESD-609
-
e3
Безоловая кодировка
-
yes
Количество выводов
-
3
Код ECCN
-
EAR99
Конечная обработка контакта
-
Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
40V
Максимальная потеря мощности
-
325mW
Положение терминала
-
DUAL
Форма вывода
-
GULL WING
Моментальный ток
-
600mA
Частота
-
300MHz
Конфигурация элемента
-
Single
Распад мощности
-
325mW
Продуктивность полосы частот
-
300MHz
Полярность/Тип канала
-
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
-
40V
Максимальный ток сбора
-
600mA
Ток - отсечка коллектора (макс)
-
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
-
1V @ 50mA, 500mA
Частота перехода
-
300MHz
Максимальное напряжение разрушения
-
40V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
75V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-
6V
Время выключения максимальное (toff)
-
285ns
Высота
-
900μm
Длина
-
2mm
Ширина
-
1.25mm
Корпусировка на излучение
-
No
Без свинца
-
Lead Free