BCW66G Альтернативные части: BC817-16-7-F ,BC817-40-7-F

BCW66GON Semiconductor

  • BCW66GON Semiconductor
  • BC817-16-7-FDiodes Incorporated
  • BC817-40-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 26500

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP
BC817-16 Series NPN 45 V 310 mW Small Signal Transistor Surface Mount - SOT-23-3
DIODES INC. - BC817-40-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 310 mW, 500 mA, 250 hFE
Состояние жизненного цикла
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
-
-
Срок поставки от производителя
8 Weeks
19 Weeks
19 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
3
Поставщик упаковки устройства
SOT-23-3
-
-
Вес
30mg
7.994566mg
7.994566mg
Диэлектрический пробой напряжение
45V
45V
45V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
1A
500mA
500mA
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
160
-
-
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-65°C~150°C TJ
-65°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2002
2008
2005
Состояние изделия
Obsolete
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура
150°C
-
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
45V
-
-
Максимальная потеря мощности
350mW
310mW
310mW
Моментальный ток
1A
-
-
Частота
100MHz
100MHz
100MHz
Основной номер части
BCW66
BC817
BC817
Направленность
NPN
-
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
350mW
350mW
350mW
Мощность - Макс
350mW
-
-
Продуктивность полосы частот
170MHz
100MHz
100MHz
Тип транзистора
NPN
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
45V
45V
45V
Максимальный ток сбора
1A
800mA
800mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
160 @ 100mA 1V
100 @ 100mA 1V
250 @ 100mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)
20nA
100nA
100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
700mV @ 50mA, 500mA
700mV @ 50mA, 500mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
45V
-
-
Максимальная частота
100MHz
-
-
Максимальное напряжение разрушения
45V
45V
45V
Частота - Переход
100MHz
-
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
75V
50V
50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
5V
Высота
930μm
1mm
1mm
Длина
2.9mm
3.05mm
3.05mm
Ширина
1.3mm
1.4mm
1.4mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
No SVHC
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Материал элемента транзистора
-
SILICON
SILICON
Серия
-
Automotive, AEC-Q101
Automotive, AEC-Q101
Код JESD-609
-
e3
e3
Безоловая кодировка
-
yes
yes
Количество выводов
-
3
3
Код ECCN
-
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
-
Matte Tin (Sn)
-
Дополнительная Характеристика
-
HIGH RELIABILITY
HIGH RELIABILITY
Положение терминала
-
DUAL
DUAL
Форма вывода
-
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
40
40
Число контактов
-
3
3
Применение транзистора
-
SWITCHING
SWITCHING
Полярность/Тип канала
-
NPN
NPN
Частота перехода
-
100MHz
100MHz
Корпусировка на излучение
-
No
No