BC858A-7-F Альтернативные части: BC858CMTF ,BC858C-7-F

BC858A-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 2470

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
4.710907 ₽
4.67 ₽
500
3.463901 ₽
1,732.01 ₽
1000
2.886607 ₽
2,886.54 ₽
2000
2.648269 ₽
5,296.57 ₽
5000
2.475000 ₽
12,375.00 ₽
10000
2.302294 ₽
23,022.94 ₽
15000
2.226593 ₽
33,398.90 ₽
50000
2.189368 ₽
109,468.41 ₽

Цена за единицу: 4.710907 ₽

Итоговая цена: 4.67 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иBC858A-7-F	иBC858CMTF	иBC858C-7-F
Производитель:	Diodes Incorporated	ON Semiconductor	Diodes Incorporated
Описание:	Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR	Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R	Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR
Срок поставки от производителя	19 Weeks	17 Weeks	19 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3	3
Вес	7.994566mg	30mg	7.994566mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	30V	30V	30V
Количество элементов	1	1	1
Рабочая температура	-65°C~150°C TJ	150°C TJ	-65°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2003	2004	2008
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Obsolete	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Максимальная потеря мощности	300mW	310mW	300mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-	260
Частота	200MHz	150MHz	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	-	40
Основной номер части	BC858	BC858	BC858
Число контактов	3	-	3
Квалификационный Статус	Not Qualified	-	Not Qualified
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	350mW	310mW	300mW
Мощность - Макс	300mW	-	-
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	200MHz	150MHz	200MHz
Полярность/Тип канала	PNP	PNP	PNP
Тип транзистора	PNP	PNP	PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	30V	30V	30V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	125 @ 2mA 5V	420 @ 2mA 5V	420 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	15nA	15nA ICBO	15nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	650mV @ 5mA, 100mA	650mV @ 5mA, 100mA	650mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода	200MHz	150MHz	200MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	30V	-30V	30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	-5V	5V
Высота	1mm	930μm	1mm
Длина	3.05mm	2.9mm	3.05mm
Ширина	1.4mm	1.3mm	1.4mm
REACH SVHC	No SVHC	-	No SVHC
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Состояние жизненного цикла	-	LIFETIME (Last Updated: 1 day ago)	-
Минимальная частота работы в герцах	-	110	420
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	-30V	-
Моментальный ток	-	-100mA	-
Максимальное напряжение разрушения	-	30V	-
Корпусировка на излучение	-	No	-
Без свинца	-	Lead Free	Lead Free
Максимальный коллекторный ток (Ic)	-	-	100mA
Завершение	-	-	SMD/SMT
Максимальная частота	-	-	100MHz

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BC859BMTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP	Для сравнения
BC858CMTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения
BC858C-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR	Для сравнения
BC858B-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения