BC858A-7-F Альтернативные части: BC858C-7-F ,BC858B-7-F

BC858A-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 2470

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
4.710907 ₽
4.67 ₽
500
3.463901 ₽
1,732.01 ₽
1000
2.886607 ₽
2,886.54 ₽
2000
2.648269 ₽
5,296.57 ₽
5000
2.475000 ₽
12,375.00 ₽
10000
2.302294 ₽
23,022.94 ₽
15000
2.226593 ₽
33,398.90 ₽
50000
2.189368 ₽
109,468.41 ₽

Цена за единицу: 4.710907 ₽

Итоговая цена: 4.67 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иBC858A-7-F	иBC858C-7-F	иBC858B-7-F
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR	Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR	Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Срок поставки от производителя	19 Weeks	19 Weeks	19 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3	3
Вес	7.994566mg	7.994566mg	7.994566mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	30V	30V	30V
Количество элементов	1	1	1
Рабочая температура	-65°C~150°C TJ	-65°C~150°C TJ	-65°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2003	2008	2005
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Максимальная потеря мощности	300mW	300mW	300mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Частота	200MHz	-	200MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	40
Основной номер части	BC858	BC858	BC858
Число контактов	3	3	3
Квалификационный Статус	Not Qualified	Not Qualified	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	350mW	300mW	350mW
Мощность - Макс	300mW	-	300mW
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	200MHz	200MHz	200MHz
Полярность/Тип канала	PNP	PNP	PNP
Тип транзистора	PNP	PNP	PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	30V	30V	30V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	125 @ 2mA 5V	420 @ 2mA 5V	220 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	15nA	15nA	15nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	650mV @ 5mA, 100mA	650mV @ 5mA, 100mA	650mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода	200MHz	200MHz	200MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	30V	30V	30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	5V	5V
Высота	1mm	1mm	1mm
Длина	3.05mm	3.05mm	3.05mm
Ширина	1.4mm	1.4mm	1.4mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Максимальный коллекторный ток (Ic)	-	100mA	-
Минимальная частота работы в герцах	-	420	-
Завершение	-	SMD/SMT	-
Максимальная частота	-	100MHz	-
Без свинца	-	Lead Free	-
Корпусировка на излучение	-	-	No

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BC859BMTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP	Для сравнения
BC858CMTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения
BC858C-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR	Для сравнения
BC858B-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения