BC858A-7-F Альтернативные части: BC858B-7-F ,BC859BMTF

BC858A-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 2470

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
4.710907 ₽
4.67 ₽
500
3.463901 ₽
1,732.01 ₽
1000
2.886607 ₽
2,886.54 ₽
2000
2.648269 ₽
5,296.57 ₽
5000
2.475000 ₽
12,375.00 ₽
10000
2.302294 ₽
23,022.94 ₽
15000
2.226593 ₽
33,398.90 ₽
50000
2.189368 ₽
109,468.41 ₽

Цена за единицу: 4.710907 ₽

Итоговая цена: 4.67 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иBC858A-7-F	иBC858B-7-F	иBC859BMTF
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	ON Semiconductor
Описание:	Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR	Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R	Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP
Срок поставки от производителя	19 Weeks	19 Weeks	-
Покрытие контактов	Tin	Tin	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3	3
Вес	7.994566mg	7.994566mg	30mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	30V	30V	30V
Количество элементов	1	1	1
Рабочая температура	-65°C~150°C TJ	-65°C~150°C TJ	150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2003	2005	-
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Максимальная потеря мощности	300mW	300mW	310mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	NOT SPECIFIED
Частота	200MHz	200MHz	150MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	NOT SPECIFIED
Основной номер части	BC858	BC858	BC859
Число контактов	3	3	-
Квалификационный Статус	Not Qualified	-	Not Qualified
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	350mW	350mW	310mW
Мощность - Макс	300mW	300mW	-
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	200MHz	200MHz	150MHz
Полярность/Тип канала	PNP	PNP	PNP
Тип транзистора	PNP	PNP	PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	30V	30V	30V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	125 @ 2mA 5V	220 @ 2mA 5V	200 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	15nA	15nA	15nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	650mV @ 5mA, 100mA	650mV @ 5mA, 100mA	650mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода	200MHz	200MHz	150MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	30V	30V	-30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	5V	-5V
Высота	1mm	1mm	-
Длина	3.05mm	3.05mm	-
Ширина	1.4mm	1.4mm	-
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant
Корпусировка на излучение	-	No	-
Состояние жизненного цикла	-	-	LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Минимальная частота работы в герцах	-	-	110
Дополнительная Характеристика	-	-	LOW NOISE
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	-	-30V
Моментальный ток	-	-	-100mA
Максимальное напряжение разрушения	-	-	30V
Без свинца	-	-	Lead Free

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BC859BMTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP	Для сравнения
BC858CMTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения
BC858C-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR	Для сравнения
BC858B-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения