BC857CT-7-F Альтернативные части: DDTA144EE-7 ,BC857AT-7-F

BC857CT-7-FDiodes Incorporated

  • BC857CT-7-FDiodes Incorporated
  • DDTA144EE-7Diodes Incorporated
  • BC857AT-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 9387

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    2.754533 ₽

    2.75 ₽

  • 10

    2.598613 ₽

    25.96 ₽

  • 100

    2.451525 ₽

    245.19 ₽

  • 500

    2.312761 ₽

    1,156.32 ₽

  • 1000

    2.181854 ₽

    2,181.87 ₽

Цена за единицу: 2.754533 ₽

Итоговая цена: 2.75 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
DIODES INC. - BC857CT-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 520 hFE
TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
TRANS PNP 45V 0.1A SOT523
Срок поставки от производителя
18 Weeks
-
18 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-523
SOT-523
SOT-523
Количество контактов
3
3
3
Вес
2.012816mg
-
2.012816mg
Материал элемента транзистора
SILICON
-
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
45V
50V
45V
Количество элементов
1
1
1
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2007
2007
2007
Код JESD-609
e3
e0
e3
Безоловая кодировка
yes
-
yes
Состояние изделия
Active
Discontinued
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Дополнительная Характеристика
HIGH RELIABILITY
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности
150mW
150mW
150mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
235
260
Код соответствия REACH
not_compliant
not_compliant
not_compliant
Частота
100MHz
-
100MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
10
40
Основной номер части
BC857CT
-
BC857AT
Число контактов
3
3
3
Квалификационный Статус
Not Qualified
Not Qualified
Not Qualified
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
150mW
150mW
150mW
Продуктивность полосы частот
100MHz
-
100MHz
Полярность/Тип канала
PNP
-
PNP
Тип транзистора
PNP
PNP - Pre-Biased + Diode
PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
45V
300mV
45V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
420 @ 2mA 5V
68 @ 5mA 5V
125 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
15nA ICBO
500nA
15nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
300mV @ 500μA, 10mA
650mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода
100MHz
250MHz
100MHz
Максимальное напряжение разрушения
45V
50V
45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
50V
-
50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
-5V
5V
Высота
750μm
-
750μm
Длина
1.6mm
-
1.6mm
Ширина
800μm
-
800μm
REACH SVHC
No SVHC
-
No SVHC
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Contains Lead
Lead Free
Минимальная частота работы в герцах
-
68
125
Серия
-
Automotive, AEC-Q101
-
Конечная обработка контакта
-
Tin/Lead (Sn85Pb15)
-
Максимальная рабочая температура
-
150°C
-
Минимальная температура работы
-
-55°C
-
Код ТН ВЭД
-
8541.21.00.75
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
-50V
-50V
Моментальный ток
-
-100mA
-100mA
Направленность
-
PNP
-
Частота - Переход
-
250MHz
-
База (R1)
-
47 k Ω
-
Резистор - Эмиттер-База (R2)
-
47 k Ω
-