BC857CT-7-F Альтернативные части: BC857AT-7-F ,BC857BT-7-F

BC857CT-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 9387

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
2.754533 ₽
2.75 ₽
10
2.598613 ₽
25.96 ₽
100
2.451525 ₽
245.19 ₽
500
2.312761 ₽
1,156.32 ₽
1000
2.181854 ₽
2,181.87 ₽

Цена за единицу: 2.754533 ₽

Итоговая цена: 2.75 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иBC857CT-7-F	иBC857AT-7-F	иBC857BT-7-F
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	DIODES INC. - BC857CT-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 520 hFE	TRANS PNP 45V 0.1A SOT523	In a Pack of 200, Diodes Inc BC857BT-7-F PNP Transistor, 100 mA, 45 V, 3-Pin SOT-523
Срок поставки от производителя	18 Weeks	18 Weeks	19 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SOT-523	SOT-523	SOT-523
Количество контактов	3	3	3
Вес	2.012816mg	2.012816mg	2.012816mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	45V	45V	45V
Количество элементов	1	1	1
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2007	2007	2007
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности	150mW	150mW	150mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Код соответствия REACH	not_compliant	not_compliant	-
Частота	100MHz	100MHz	100MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	40
Основной номер части	BC857CT	BC857AT	BC857BT
Число контактов	3	3	3
Квалификационный Статус	Not Qualified	Not Qualified	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	150mW	150mW	150mW
Продуктивность полосы частот	100MHz	100MHz	100MHz
Полярность/Тип канала	PNP	PNP	PNP
Тип транзистора	PNP	PNP	PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	45V	45V	45V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	420 @ 2mA 5V	125 @ 2mA 5V	220 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	15nA ICBO	15nA ICBO	15nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	650mV @ 5mA, 100mA	650mV @ 5mA, 100mA	650mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода	100MHz	100MHz	100MHz
Максимальное напряжение разрушения	45V	45V	45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	50V	50V	50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	5V	5V
Высота	750μm	750μm	750μm
Длина	1.6mm	1.6mm	1.6mm
Ширина	800μm	800μm	800μm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Минимальная частота работы в герцах	-	125	220
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	-50V	-50V
Моментальный ток	-	-100mA	-100mA
Прямоходящий ток коллектора	-	-	-100mA
Корпусировка на излучение	-	-	No

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FJY4002R	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-89, SOT-490	TRANSISTOR, DIGITAL PNP SOT-523F	Для сравнения
DDTA144EE-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SOT-523	TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523	Для сравнения
BC857AT-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SOT-523	TRANS PNP 45V 0.1A SOT523	Для сравнения
BC857BT-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SOT-523	In a Pack of 200, Diodes Inc BC857BT-7-F PNP Transistor, 100 mA, 45 V, 3-Pin SOT-523	Для сравнения