BC857BT-7-F Альтернативные части: BC857AT-7-F

BC857BT-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 13220

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
21.107912 ₽
21.15 ₽
10
19.913104 ₽
199.18 ₽
100
18.785948 ₽
1,878.57 ₽
500
17.722582 ₽
8,861.26 ₽
1000
16.719478 ₽
16,719.51 ₽

Цена за единицу: 21.107912 ₽

Итоговая цена: 21.15 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иBC857BT-7-F	иBC857AT-7-F
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	In a Pack of 200, Diodes Inc BC857BT-7-F PNP Transistor, 100 mA, 45 V, 3-Pin SOT-523	TRANS PNP 45V 0.1A SOT523
Срок поставки от производителя	19 Weeks	18 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SOT-523	SOT-523
Количество контактов	3	3
Вес	2.012816mg	2.012816mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	45V	45V
Количество элементов	1	1
Минимальная частота работы в герцах	220	125
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2007	2007
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
Ток постоянного напряжения - номинальный	-50V	-50V
Максимальная потеря мощности	150mW	150mW
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Моментальный ток	-100mA	-100mA
Частота	100MHz	100MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Основной номер части	BC857BT	BC857AT
Число контактов	3	3
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	150mW	150mW
Продуктивность полосы частот	100MHz	100MHz
Полярность/Тип канала	PNP	PNP
Тип транзистора	PNP	PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	45V	45V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	220 @ 2mA 5V	125 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	15nA ICBO	15nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	650mV @ 5mA, 100mA	650mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода	100MHz	100MHz
Максимальное напряжение разрушения	45V	45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	50V	50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	5V
Прямоходящий ток коллектора	-100mA	-
Высота	750μm	750μm
Длина	1.6mm	1.6mm
Ширина	800μm	800μm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Код соответствия REACH	-	not_compliant
Квалификационный Статус	-	Not Qualified

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BC857AT-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SOT-523	TRANS PNP 45V 0.1A SOT523	Для сравнения
BC857CT-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SOT-523	DIODES INC. - BC857CT-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 520 hFE	Для сравнения
FJY4012R	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-89, SOT-490	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FJY4012R Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 40 V, 200 MHz, 200 mW, -100 mA, 100 hFE	Для сравнения
FJY4009R	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-89, SOT-490	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F	Для сравнения