BC850CMTF Альтернативные части: BC847A-7-F ,BC847CMTF

BC850CMTFON Semiconductor

В наличии: 136581

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
5.889588 ₽
5.91 ₽
500
4.330577 ₽
2,165.25 ₽
1000
3.608777 ₽
3,608.79 ₽
2000
3.310865 ₽
6,621.70 ₽
5000
3.094231 ₽
15,471.15 ₽
10000
2.878352 ₽
28,783.52 ₽
15000
2.783750 ₽
41,756.32 ₽
50000
2.737212 ₽
136,860.58 ₽

Цена за единицу: 5.889588 ₽

Итоговая цена: 5.91 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иBC850CMTF	иBC847A-7-F	иBC847CMTF
Производитель:	ON Semiconductor	Diodes Incorporated	ON Semiconductor
Описание:	Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R	Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR	TRANS NPN 45V 0.1A SOT23
Состояние жизненного цикла	LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)	-	LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
Срок поставки от производителя	13 Weeks	15 Weeks	-
Покрытие контактов	Tin	Tin	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3	3
Вес	30mg	7.994566mg	30mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	45V	45V	45V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	110	110	110
Рабочая температура	150°C TJ	-65°C~150°C TJ	150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2011	2008	2011
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Obsolete	Active	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный	45V	-	45V
Максимальная потеря мощности	310mW	300mW	310mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Моментальный ток	100mA	-	100mA
Частота	300MHz	300MHz	300MHz
Основной номер части	BC850	BC847	BC847
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	310mW	350mW	310mW
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	300MHz	300MHz	300MHz
Полярность/Тип канала	NPN	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	45V	45V	45V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	420 @ 2mA 5V	110 @ 2mA 5V	420 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	15nA ICBO	15nA	15nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA	600mV @ 5mA, 100mA	600mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода	300MHz	300MHz	300MHz
Максимальное напряжение разрушения	45V	45V	45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	50V	50V	50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	6V	6V
Высота	930μm	1mm	930μm
Длина	2.92mm	3.05mm	2.92mm
Ширина	1.3mm	1.4mm	1.3mm
Корпусировка на излучение	No	-	No
Состояние RoHS	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Завершение	-	SMD/SMT	-
Дополнительная Характеристика	-	HIGH RELIABILITY	-
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	260	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	40	-
Число контактов	-	3	-
Квалификационный Статус	-	Not Qualified	-
Мощность - Макс	-	300mW	-
REACH SVHC	-	No SVHC	No SVHC

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BC847BMTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 45V 0.1A SOT23	Для сравнения
BC847A-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR	Для сравнения
BC847CMTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 45V 0.1A SOT23	Для сравнения
BC847AMTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP	Для сравнения