BC850AMTF Альтернативные части: BC847CMTF

BC850AMTFON Semiconductor

  • BC850AMTFON Semiconductor
  • BC847CMTFON Semiconductor

В наличии: 49187

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    5.889588 ₽

    5.91 ₽

  • 500

    4.330577 ₽

    2,165.25 ₽

  • 1000

    3.608777 ₽

    3,608.79 ₽

  • 2000

    3.310865 ₽

    6,621.70 ₽

  • 5000

    3.094231 ₽

    15,471.15 ₽

  • 10000

    2.878352 ₽

    28,783.52 ₽

  • 15000

    2.783750 ₽

    41,756.32 ₽

  • 50000

    2.737212 ₽

    136,860.58 ₽

Цена за единицу: 5.889588 ₽

Итоговая цена: 5.91 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP
TRANS NPN 45V 0.1A SOT23
Состояние жизненного цикла
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
Срок поставки от производителя
6 Weeks
-
Покрытие контактов
Tin
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Вес
30mg
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
45V
45V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
110
110
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2008
2011
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Obsolete
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Дополнительная Характеристика
LOW NOISE
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
45V
45V
Максимальная потеря мощности
310mW
310mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
NOT SPECIFIED
-
Моментальный ток
100mA
100mA
Частота
300MHz
300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
-
Основной номер части
BC850
BC847
Квалификационный Статус
Not Qualified
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
310mW
310mW
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
300MHz
300MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
45V
45V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
110 @ 2mA 5V
420 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
15nA ICBO
15nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
600mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода
300MHz
300MHz
Максимальное напряжение разрушения
45V
45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
50V
50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
6V
Высота
930μm
930μm
Длина
2.92mm
2.92mm
Ширина
1.3mm
1.3mm
Состояние RoHS
RoHS Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
REACH SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
-
No