BC849CMTF Альтернативные части: BC848C-7-F ,BC848B-7-F

BC849CMTFON Semiconductor

В наличии: 130586

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
5.889588 ₽
5.91 ₽
500
4.330577 ₽
2,165.25 ₽
1000
3.608777 ₽
3,608.79 ₽
2000
3.310865 ₽
6,621.70 ₽
5000
3.094231 ₽
15,471.15 ₽
10000
2.878352 ₽
28,783.52 ₽
15000
2.783750 ₽
41,756.32 ₽
50000
2.737212 ₽
136,860.58 ₽

Цена за единицу: 5.889588 ₽

Итоговая цена: 5.91 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иBC849CMTF	иBC848C-7-F	иBC848B-7-F
Производитель:	ON Semiconductor	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23	DIODES INC. - BC848C-7-F - TRANSISTOR, NPN, 30V, 100mA, 300mW, SOT-23	Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3	3
Вес	30mg	7.994566mg	7.994566mg
Диэлектрический пробой напряжение	30V	30V	30V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	110	420	200
Рабочая температура	150°C TJ	-65°C~150°C TJ	-65°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Состояние изделия	Obsolete	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Ток постоянного напряжения - номинальный	30V	-	-
Максимальная потеря мощности	310mW	300mW	300mW
Моментальный ток	100mA	-	-
Частота	300MHz	300MHz	300MHz
Основной номер части	BC849	BC848C	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	310mW	310mW	350mW
Продуктивность полосы частот	300MHz	300MHz	300MHz
Тип транзистора	NPN	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	30V	30V	30V
Максимальный ток сбора	100mA	200mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	420 @ 2mA 5V	420 @ 2mA 5V	200 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	15nA ICBO	15nA	15nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA	600mV @ 5mA, 100mA	600mV @ 5mA, 100mA
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	30V	30V	30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	5V	5V
Состояние RoHS	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Срок поставки от производителя	-	15 Weeks	15 Weeks
Покрытие контактов	-	Tin	-
Материал элемента транзистора	-	SILICON	SILICON
Опубликовано	-	2008	2008
Код JESD-609	-	e3	e3
Безоловая кодировка	-	yes	yes
Количество выводов	-	3	3
Код ECCN	-	EAR99	EAR99
Дополнительная Характеристика	-	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
Положение терминала	-	DUAL	DUAL
Форма вывода	-	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	40	40
Число контактов	-	3	3
Квалификационный Статус	-	Not Qualified	-
Применение транзистора	-	SWITCHING	SWITCHING
Полярность/Тип канала	-	NPN	NPN
Частота перехода	-	300MHz	300MHz
Максимальное напряжение разрушения	-	30V	-
Максимальная температура перехода (Тj)	-	150°C	-
Прямоходящий ток коллектора	-	100mA	-
Высота	-	1.1mm	1mm
Длина	-	3.05mm	3.05mm
Ширина	-	1.4mm	1.4mm
REACH SVHC	-	No SVHC	No SVHC
Конечная обработка контакта	-	-	Matte Tin (Sn)
Мощность - Макс	-	-	300mW
Корпусировка на излучение	-	-	No

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BC848AMTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23	Для сравнения
BC848C-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DIODES INC. - BC848C-7-F - TRANSISTOR, NPN, 30V, 100mA, 300mW, SOT-23	Для сравнения
BC848B-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения
BC848A-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR	Для сравнения