BC848CW-7-F Альтернативные части: DTC144TUAT106 ,BC847AW-7-F

BC848CW-7-FDiodes Incorporated

  • BC848CW-7-FDiodes Incorporated
  • DTC144TUAT106ROHM Semiconductor
  • BC847AW-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 676

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    8.136140 ₽

    8.10 ₽

  • 500

    5.982459 ₽

    2,991.21 ₽

  • 1000

    4.985398 ₽

    4,985.44 ₽

  • 2000

    4.573695 ₽

    9,147.39 ₽

  • 5000

    4.274547 ₽

    21,372.80 ₽

  • 10000

    3.976346 ₽

    39,763.46 ₽

  • 15000

    3.845577 ₽

    57,683.65 ₽

  • 50000

    3.781291 ₽

    189,064.56 ₽

Цена за единицу: 8.136140 ₽

Итоговая цена: 8.10 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
Срок поставки от производителя
15 Weeks
13 Weeks
15 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
Количество контактов
3
3
3
Вес
6.010099mg
-
6.010099mg
Материал элемента транзистора
SILICON
-
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
30V
50V
45V
Количество элементов
1
1
1
Рабочая температура
-65°C~150°C TJ
-
-65°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2007
2009
2017
Код JESD-609
e3
e1
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Максимальная потеря мощности
200mW
200mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
260
Частота
300MHz
-
300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
10
40
Число контактов
3
3
3
Квалификационный Статус
Not Qualified
-
Not Qualified
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
200mW
200mW
200mW
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
300MHz
-
300MHz
Полярность/Тип канала
NPN
-
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN - Pre-Biased
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
30V
50V
45V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
420 @ 2mA 5V
100 @ 1mA 5V
110 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
20nA ICBO
500nA ICBO
20nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
300mV @ 500μA, 5mA
600mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода
300MHz
250MHz
300MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
30V
-
50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
6V
Высота
1mm
-
1mm
Длина
2.2mm
-
2.2mm
Ширина
1.35mm
-
1.35mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
No SVHC
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Минимальная частота работы в герцах
-
100
-
Завершение
-
SMD/SMT
-
Конечная обработка контакта
-
TIN SILVER COPPER
-
Максимальная рабочая температура
-
150°C
-
Минимальная температура работы
-
-55°C
-
Дополнительная Характеристика
-
BUILT-IN BIAS RESISTOR
-
Код ТН ВЭД
-
8541.21.00.75
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
50V
-
Моментальный ток
-
100mA
-
Основной номер части
-
DTC144
BC847
Направленность
-
NPN
-
Максимальное напряжение разрушения
-
50V
65V
Частота - Переход
-
250MHz
-
База (R1)
-
47 k Ω
-
Прямоходящий ток коллектора
-
100mA
-
Корпусировка на излучение
-
No
-
Без свинца
-
Lead Free
Lead Free